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PH3N-50.8-12.7-0.062-1A

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  • PH3N-50.8-12.7-0.062-1A
    PH3N-50.8-12.7-0.062-1A

    PH3N-50.8-12.7-0.062-1A

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -

  • 原裝正品假一罰十 電話010-62104...

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PH3N-50.8-12.7-0.062-1A PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 制造商
  • t-Global Technology
  • 功能描述
  • PH3N NANO 50.8X12.07X0.062MM
PH3N-50.8-12.7-0.062-1A 技術(shù)參數(shù)
  • PH3N-101.6-38.1-0.07-1A 功能描述:Heat Sink Assorted (BGA, LGA, CPU, ASIC...) Copper Heat Spreader 制造商:t-global technology 系列:PH3n 零件狀態(tài):有效 類型:散熱片 冷卻封裝:分類（BGA，LGA，CPU，ASIC……） 接合方法:膠合劑 形狀:矩形 長(zhǎng)度:4.000"（101.60mm） 寬度:1.500"（38.10mm） 直徑:- 離基底高度（鰭片高度）:0.003"（0.07mm） 不同溫升時(shí)功率耗散:- 不同強(qiáng)制氣流時(shí)的熱阻:- 自然條件下熱阻:- 材料:銅 材料鍍層:聚酯 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PH3N-101.6-38.1-0.062-1A 功能描述:Heat Sink Assorted (BGA, LGA, CPU, ASIC...) Copper Heat Spreader 制造商:t-global technology 系列:PH3n 零件狀態(tài):有效 類型:散熱片 冷卻封裝:分類（BGA，LGA，CPU，ASIC……） 接合方法:膠合劑 形狀:矩形 長(zhǎng)度:4.000"（101.60mm） 寬度:1.500"（38.10mm） 直徑:- 離基底高度（鰭片高度）:0.002"（0.06mm） 不同溫升時(shí)功率耗散:- 不同強(qiáng)制氣流時(shí)的熱阻:- 自然條件下熱阻:- 材料:銅 材料鍍層:聚酯 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PH3N-101.6-25.4-0.07-1A 功能描述:Heat Sink Assorted (BGA, LGA, CPU, ASIC...) Copper Heat Spreader 制造商:t-global technology 系列:PH3n 零件狀態(tài):有效 類型:散熱片 冷卻封裝:分類（BGA，LGA，CPU，ASIC……） 接合方法:膠合劑 形狀:矩形 長(zhǎng)度:4.000"（101.60mm） 寬度:1.000"（25.40mm） 直徑:- 離基底高度（鰭片高度）:0.003"（0.07mm） 不同溫升時(shí)功率耗散:- 不同強(qiáng)制氣流時(shí)的熱阻:- 自然條件下熱阻:- 材料:銅 材料鍍層:聚酯 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PH3N-101.6-25.4-0.062-1A 功能描述:Heat Sink Assorted (BGA, LGA, CPU, ASIC...) Copper Heat Spreader 制造商:t-global technology 系列:PH3n 零件狀態(tài):有效 類型:散熱片 冷卻封裝:分類（BGA，LGA，CPU，ASIC……） 接合方法:膠合劑 形狀:矩形 長(zhǎng)度:4.000"（101.60mm） 寬度:1.000"（25.40mm） 直徑:- 離基底高度（鰭片高度）:0.002"（0.06mm） 不同溫升時(shí)功率耗散:- 不同強(qiáng)制氣流時(shí)的熱阻:- 自然條件下熱阻:- 材料:銅 材料鍍層:聚酯 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PH3830L,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 98A LFPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:98A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.8 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:33nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3190pF @ 10V 功率 - 最大值:62.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-100，SOT-669，4-LFPAK 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK， 電源-SO8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PH4030AL,115 PH4200G PH4201G PH4301I PH4304H PH4330L,115 PH4400E PH4400G PH4401E PH4401G PH4530AL,115 PH4530L,115 PH4830L,115 PH4840S,115 PH4-P PH50 PH5030AL,115 PH5030ALS,115
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