PDTC115TMB,315

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說明
操作

PDTC115TMB,315
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
聯(lián)系人：李先生
電話：0755-8308997518573537851
地址：深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
10000
Nexperia
N/A
24+
-
瑞智芯只做原裝上傳有貨

PDTC115TMB,315
深圳市芯馳科技有限公司
深圳市芯馳科技有限公司
聯(lián)系人：丁皓鵬
電話：1866538497818124166365
地址：福田街道深南中路3029號南光捷佳大廈2331
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
10000
PHA
SOT883
15+
-
原裝正品，價格優(yōu)勢！

PDTC115TMB,315
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯(lián)系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
90000
NXP Semiconductors
3-DFN1006B（0.6x1）
18+
-
Pre-Biased Bipolar T...

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PDTC115TMB,315 PDF下載

制造商
NXP Semiconductors
功能描述
PDTC115TMB/XQFN3/REELP2// - Tape and Reel
制造商
NXP Semiconductors
功能描述
TRANS PREBIAS NPN 250MW 3DFN
制造商
NXP Semiconductors
功能描述
NPN Resistor Equipped Transistor

PDTC115TMB,315 技術(shù)參數(shù)

PDTC115TM,315 功能描述:TRANS NPN W/RES 50V SOT-883 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應(yīng) 晶體管類型:NPN - 預偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）:100 kOhms 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 1mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 250μA，5mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-101，SOT-883 供應(yīng)商器件封裝:DFN1006-3 基本零件編號:PDTC115 標準包裝:1 PDTC115TK,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期晶體管類型:NPN - 預偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:100k 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）（歐姆）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 1mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 250μA，5mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 頻率 - 躍遷:- 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SMT3 標準包裝:1 PDTC115TE,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期晶體管類型:NPN - 預偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:100k 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）（歐姆）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 1mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 250μA，5mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 頻率 - 躍遷:- 功率 - 最大值:150mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-75，SOT-416 供應(yīng)商器件封裝:SC-75 標準包裝:1 PDTC115ET,215 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售晶體管類型:NPN - 預偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）:100 kOhms 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）:100 kOhms 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 250μA，5mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB（SOT23）標準包裝:1 PDTC115EM,315 功能描述:TRANS NPN W/RES 50V SOT-883 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應(yīng) 晶體管類型:NPN - 預偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）:100 kOhms 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）:100 kOhms 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 250μA，5mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-101，SOT-883 供應(yīng)商器件封裝:DFN1006-3 基本零件編號:PDTC115 標準包裝:1 PDTC123ET,215 PDTC123ETVL PDTC123EU,115 PDTC123JE,115 PDTC123JK,115 PDTC123JM,315 PDTC123JMB,315 PDTC123JQAZ PDTC123JS,126 PDTC123JT,215 PDTC123JT,235 PDTC123JU,115 PDTC123JU/ZLX PDTC123TE,115 PDTC123TM,315 PDTC123TMB,315 PDTC123TT,215 PDTC123TT,235