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PDTC123EMB,315

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  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
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  • 操作
  • PDTC123EMB,315
    PDTC123EMB,315

    PDTC123EMB,315

  • 深圳市鵬展勝電子有限公司
    深圳市鵬展勝電子有限公司

    聯(lián)系人：林先生

    電話：135-3814-2003

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道佳和大廈A座2801

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • NXP/恩智浦

  • SOT-23

  • 21+

  • -

  • 原裝正品，假一賠十！

  • PDTC123EMB,315
    PDTC123EMB,315

    PDTC123EMB,315

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯(lián)系人：李先生

    電話：0755-8308997518573537851

    地址：深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 10000

  • Nexperia

  • N/A

  • 24+

  • -

  • 瑞智芯只做原裝上傳有貨

  • PDTC123EMB,315
    PDTC123EMB,315

    PDTC123EMB,315

  • 深圳市芯馳科技有限公司
    深圳市芯馳科技有限公司

    聯(lián)系人：丁皓鵬

    電話：1866538497818124166365

    地址：福田街道深南中路3029號南光捷佳大廈2331

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 10000

  • PHA

  • SOT883

  • 15+

  • -

  • 原裝正品，價格優(yōu)勢！

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
PDTC123EMB,315 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin DFN T/R
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • PDTC123EMB/XQFN3/REELP2// - Tape and Reel
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • TRANSISTOR NPN 100MA XQFN3
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • NPN Resistor Equipped Transistor
PDTC123EMB,315 技術(shù)參數(shù)
  • PDTC123EM,315 功能描述:TRANS NPN W/RES SOT-883 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應(yīng) 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）:2.2 kOhms 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）:2.2 kOhms 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 20mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-101，SOT-883 供應(yīng)商器件封裝:DFN1006-3 基本零件編號:PDTC123 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PDTC123EEF,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW SC89 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:2.2k 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）（歐姆）:2.2k 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 20mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 頻率 - 躍遷:- 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-89，SOT-490 供應(yīng)商器件封裝:SC-89 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PDTC123EE,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:2.2k 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）（歐姆）:2.2k 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 20mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 頻率 - 躍遷:- 功率 - 最大值:150mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-75，SOT-416 供應(yīng)商器件封裝:SC-75 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PDTC115TU,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應(yīng) 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）:100 kOhms 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 1mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 250μA，5mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 功率 - 最大值:200mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:SOT-323-3 基本零件編號:PDTC115 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PDTC115TT,215 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應(yīng) 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）:100 kOhms 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 1mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 250μA，5mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB（SOT23） 基本零件編號:PDTC115 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PDTC123JS,126 PDTC123JT,215 PDTC123JT,235 PDTC123JU,115 PDTC123JU/ZLX PDTC123TE,115 PDTC123TM,315 PDTC123TMB,315 PDTC123TT,215 PDTC123TT,235 PDTC123TU,115 PDTC123YE,115 PDTC123YK,115 PDTC123YM,315 PDTC123YMB,315 PDTC123YS,126 PDTC123YT,215 PDTC123YU,115
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