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參數(shù)資料
| 型號： | P.H-820LS |
| 元件分類： | 通用定值電感 |
| 英文描述： | 1 ELEMENT, 82 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 148K |
| 代理商： | P.H-820LS |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| P0402FC08C-LF-T75-1 | 250 W, BIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE |
| P0402FC12C-LF-T710-2 | 250 W, BIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE |
| P0402FC12C-T710-2 | 250 W, BIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE |
| P0404FC05C-T75-1 | 250 W, BIDIRECTIONAL, 4 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE |
| P0404FC3.3C-T75-1 | 250 W, BIDIRECTIONAL, 4 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE |
相關代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PH8230 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel enhancement mode field-effect transistor |
| PH8230E | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TrenchMOS (tm) enhanced logic level FET |
| PH8230E T/R | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 67A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
| PH8230E,115 | 功能描述:MOSFET N-CH TRENCH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PH8230E | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N 30V LFPAK 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N, 30V, LFPAK |
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