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參數(shù)資料
| 型號： | OR2T06A-7T240 |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 元件分類： | FPGA |
| 英文描述： | Field-Programmable Gate Arrays |
| 中文描述： | 現(xiàn)場可編程門陣列 |
| 文件頁數(shù)： | 37/192頁 |
| 文件大?。?/td> | 3148K |
| 代理商： | OR2T06A-7T240 |
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Data Sheet
June 1999
ORCA Series 2 FPGAs
Lucent Technologies Inc.
131
Electrical Characteristics (continued)
* On the OR2TxxB devices, the pull-up resistor will externally pull the pin to a level 1.0 V below VDD.
Table 31B. OR2TxxB Electrical Characteristics
OR2TxxB Commercial: VDD = 3.0 V to 3.6 V, 0 °C
≤ TA ≤ 70 °C; OR2TxxB Industrial: VDD = 3.0 V to 3.6 V, –40 °C ≤ TA ≤ +85°C.
Parameter
Symbol
Test Conditions
OR2TxxB
Unit
Min
Max
Input Voltage:
High
Low
VIH
VIL
Input configured as CMOS
80% VDD
GND – 0.5
VDD + 0.3
15% VDD
V
Output Voltage:
High
Low
VOH
VOL
VDD = min, IOH = 6 mA or 3 mA
VDD = min, IOL = 12 mA or 6 mA
2.4
—
0.4
V
Input Leakage Current
IL
VDD = max, VIN = VSS or VDD
–10
10
A
Standby Current:
OR2T15B
OR2T40B
IDDSB
OR2TxxB (TA = 25 °C, VDD = 3.3 V)
internal oscillator running,
no output loads,
inputs at VDD or GND
(after configuration)
—
5.5
8.0
mA
Standby Current:
OR2T15B
OR2T40B
IDDSB
OR2TxxB (TA = 25 °C, VDD = 3.3 V)
internal oscillator stopped,
no output loads,
inputs at VDD or GND
(after configuration)
—
2.0
4.5
mA
Data Retention Voltage
VDR
TA = 25 °C
2.3
—
V
Input Capacitance
CIN
OR2TxxB (TA = 25 °C, VDD = 3.3 V)
Test frequency = 1 MHz
—8
pF
Output Capacitance
COUT
OR2TxxB (TA = 25 °C, VDD = 3.3 V)
Test frequency = 1 MHz
—8
pF
DONE Pull-up Resistor*
RDONE
—
100k
—
M3, M2, M1, and M0
Pull-up Resistors*
RM
—
100k
—
I/O Pad Static Pull-up
Current*
IPU
VDD = 3.6 V, VIN = VSS, TA = 0 °C
14.4
50.9
A
I/O Pad Static Pull-down Cur-
rent
IPD
VDD = 3.6 V, VIN = VDD, TA = 0 °C
26
103
A
I/O Pad Pull-up Resistor*
RPU
VDD = all, VIN = VSS, TA = 0 °C
100k
—
I/O Pad Pull-down
Resistor
RPD
VDD = all, VIN = VDD, TA = 0 °C
50k
—
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