參數(shù)資料
型號： OPB850-1
廠商： TT Electronics/Optek Technology
文件頁數(shù)： 3/3頁
文件大?。?/td> 231K
描述： SENS OPTO SLOT TRAN W/RES SNAPIN
標準包裝： 1
檢測方法： 光學(xué)標記
輸出配置： 晶體管，發(fā)射極基極電阻器
電流 - DC 正向(If)： 50mA
電流 - 集電極 (Ic)（最大）： 20mA
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）： 24V
安裝類型： 卡入式
封裝/外殼： 模塊，預(yù)接線
包裝： 散裝
類型： 無放大
工作溫度： -20°C ~ 75°C
OPTEK Technology Inc.  1645 Wallace Drive, Carrollton, Texas 75006 
Phone: (972) 323-2200 or (800) 341-4747    FAX: (972) 323-2396 sensors@optekinc.com www.optekinc.com
Issue A .3 12/06
Page 3 of 3
Slotted Optical Flag Switch
OPB850A, OPB850-1Z
OPTEK reserves the right to make changes at any time in order to improve design and to supply the best product possible.
Notes:
(1) ON (I
C(ON)
) electrical condition corresponds to the switch point at about 41?angular displacement of the arm.
(2) OFF (I
C(OFF)
) electrical condition corresponds to the mechanical arm position at rest.
(3) From the rest position to the switch point, lever torque measured at the end of the arm is 1.5 grams maximum.
(4) Wires are 26 AWG, UL rated.
Electrical Characteristics (T
A
 = 25?C unless otherwise noted)
SYMBOL
PARAMETER
MIN TYP MAX UNITS
TEST CONDITIONS
Input Diode
V
F
    Forward Voltage
 
-    1.2   1.6    V   I
F
 = 20 mA
I
R
    Reverse Current
-    -     -    礎(chǔ)   V
R
 = 2 V
Output Phototransistor (OPB850A)
V
(BR)CEO
  Collector-Emitter Breakdown Voltage    30    -     -     V   I
C
 = 100 礎(chǔ), E
E
 = 0
V
(BR)ECO
  Emitter-Collector Breakdown Voltage    5    -     -     V   I
E
 = 100 礎(chǔ), E
E
 = 0
I
CEO
   Collector-Emitter Dark Current
-    -    100    nA   V
CE
 = 10 V, E
E
 = 0
Coupled (OPB850A)
V
CE(SAT)
  Collector-Emitter Saturation Voltage
(1)
   -    -    0.4    V   I
C
 = 250 礎(chǔ), I
F
 = 20 mA
I
C(ON)
   On-State Collector Current
(1)
 
0.5   2    -    mA   V
CE
 = 5 V, I
F
 = 20 mA
I
C(OFF)
   Off-State Collector Current
(2)
 
-    -    10    礎(chǔ)   V
CE
 = 5 V, I
F
 = 20 mA
Output Phototransistor (OPB850-1Z)
V
(BR)CEO
  Collector-Emitter Breakdown Voltage    24    -     -     V   I
C
 = 100 礎(chǔ), E
E
 = 0
V
(BR)ECO
  Emitter-Collector Breakdown Voltage   0.4    -     -     V   I
E
 = 100 礎(chǔ), E
E
 = 0
I
CEO
   Collector-Emitter Dark Current
-    -    100    nA   V
CE
 = 10 V, E
E
 = 0
V
CE(SAT)
  Collector-Emitter Saturation Voltage
(1)
   -    -    0.40    V   I
C
 = 500 礎(chǔ), I
F
 = 20 mA
I
C(ON)
   On-State Collector Current
(1)
 
0.5   2    -    mA   V
CE
 = 10 V, I
F
 = 20 mA
I
C(OFF)
   Off-State Collector Current
(2)
 
-    -    10    礎(chǔ)   V
CE
= 10 V, I
F
 = 20 mA
Coupled (OPB850-1Z)
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PDF描述
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參數(shù)描述
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OPB850A 功能描述:光學(xué)開關(guān)（透射型，光電晶體管輸出） Output Phototranstr Input Diode RoHS:否 制造商:Omron Electronics 輸出設(shè)備:Phototransistor 槽寬:3.4 mm 光圈寬度:0.5 mm 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:30 V 最大集電極電流:20 mA 正向電流: 安裝風格:Through Hole 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 25 C 封裝:
OPB852A1 功能描述:光學(xué)開關(guān)（透射型，光電晶體管輸出） Slotted Opt Switch RoHS:否 制造商:Omron Electronics 輸出設(shè)備:Phototransistor 槽寬:3.4 mm 光圈寬度:0.5 mm 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:30 V 最大集電極電流:20 mA 正向電流: 安裝風格:Through Hole 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 25 C 封裝:
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