參數(shù)資料
型號(hào): OPB829B
廠商: TT Electronics/Optek Technology
文件頁(yè)數(shù): 3/5頁(yè)
文件大?。?/td> 221K
描述: SENS OPTO SLOT 3.18MM TRANS C-MT
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
檢測(cè)距離: 0.125" (3.18mm)
檢測(cè)方法: 可傳導(dǎo)的
輸出配置: 光電晶體管
電流 - DC 正向(If): 50mA
電流 - 集電極 (Ic)(最大): 30mA
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大): 30V
安裝類型: 底座安裝
封裝/外殼: 模塊,預(yù)接線
包裝: 散裝
類型: 無(wú)放大
工作溫度: -40°C ~ 80°C
OPTEK Technology Inc.  1645 Wallace Drive, Carrollton, Texas 75006 
Phone: (972) 323-2200 or (800) 341-4747    FAX: (972) 323-2396 sensors@optekinc.com www.optekinc.com
Issue B 01/2012
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Slotted Optical Switch
OPB827, OPB828, OPB829Z Series
OPTEK reserves the right to make changes at any time in order to improve design and to supply the best product possible.
Electrical Characteristics (T
A
 = 25癈 unless otherwise noted)
SYMBOL
PARAMETER
MIN   TYP MAX UNITS
TEST CONDITIONS
Input Diode (See OP240 for additional informationfor reference only)
V
F
    Forward Voltage
-     -    1.7    V    I
F
 = 20 mA
I
R
     Reverse Current
-     -    100   礎(chǔ)    V
R
 = 2 V
Output Transistor (See OP550 for additional informationfor reference only)  
V
(BR)CEO
   Collector-Emitter Breakdown Voltage   30    -     -     V   I
C
 = 1 mA
V
(BR)ECO
   Emitter-Collector Breakdown Voltage   5    -     -     V   I
E
 = 100 礎(chǔ)
I
CEO
    Collector-Emitter Dark Current
-     -    100   nA   V
CE
 = 10 V, I
F
 = 0, E
E
 = 0
Coupled  
V
CE(SAT)
   Saturation Voltage
-     -    0.6    V   I
C
 = 1800 礎(chǔ), I
F
 = 20 mA
I
C(ON)
    On-State Collector Current
1800   -     -    礎(chǔ)   V
CE
 = 0.6 V, I
F
 = 20 mA
Absolute Maximum Ratings (T
A
=25癈 unless otherwise noted)
Storage and Operating Temperature
   OPB827, OPB828
   OPB829Z
 
-40?C to +85?C
-40?C to +80?C
Lead Soldering Temperature (1/16 inch [1.6 mm] from case for 5 seconds with soldering iron)
(1)
 
260?C
Input Diode
 
Forward DC Current
 
50 mA
Peak Forward Current (1祍 pulse width, 300 pps)
3 A
Reverse DC Voltage
 
2 V
Power Dissipation
(2)
 
100 mW
Output Phototransistor 
Collector-Emitter Voltage
 
30 V
Emitter-Collector Voltage
5 V
Power Dissipation
(2)
 
100 mW
Collector DC Current
30 mA
Notes:
(1) RMA flux is recommended. Duration can be extended to 10 seconds maximum when flow soldering.
(2) Derate linearly 1.82 mW/?C above 25?C.
(3) Methanol or isopropanol are recommended as cleaning agents. Plastic housing is soluble in chlorinated hydrocarbons and ketones.
(4) All parameters were tested using pulse technique.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
OPB830W51 SENS OPTO SLOT 3.18MM TRANS C-MT
OPB845B SENS OPTO SLOT 3.18MM TRANS THRU
OPB848TXV SENS OPTO SLOT 2.54MM TRANS THRU
OPB850-1 SENS OPTO SLOT TRAN W/RES SNAPIN
OPB853A3 SENSR OPTO SLOT 3.18MM DARL THRU
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
OPB829BZ 功能描述:光學(xué)開關(guān)(透射型,光電晶體管輸出) Slotted Opt Switch RoHS:否 制造商:Omron Electronics 輸出設(shè)備:Phototransistor 槽寬:3.4 mm 光圈寬度:0.5 mm 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:30 V 最大集電極電流:20 mA 正向電流: 安裝風(fēng)格:Through Hole 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 25 C 封裝:
OPB829C 功能描述:SENS OPTO SLOT 3.18MM TRANS C-MT RoHS:否 類別:傳感器,轉(zhuǎn)換器 >> 光學(xué) - 光斷續(xù)器 - 槽型 - 晶體管輸出 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Internal Chip Change 04/May/2007 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 系列:- 檢測(cè)距離:0.063"(1.6mm) 檢測(cè)方法:可傳導(dǎo)的 輸出配置:光電晶體管 電流 - DC 正向(If):50mA 電流 - 集電極 (Ic)(最大):20mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):35V 響應(yīng)時(shí)間:35µs,35µs 安裝類型:通孔 封裝/外殼:PCB 安裝 包裝:管件 類型:無(wú)放大 工作溫度:-25°C ~ 85°C 其它名稱:425-1978-5
OPB829CZ 功能描述:光學(xué)開關(guān)(透射型,光電晶體管輸出) Output Phototranstr Input Diode RoHS:否 制造商:Omron Electronics 輸出設(shè)備:Phototransistor 槽寬:3.4 mm 光圈寬度:0.5 mm 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:30 V 最大集電極電流:20 mA 正向電流: 安裝風(fēng)格:Through Hole 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 25 C 封裝:
OPB829D 功能描述:SENS OPTO SLOT 3.18MM TRANS C-MT RoHS:否 類別:傳感器,轉(zhuǎn)換器 >> 光學(xué) - 光斷續(xù)器 - 槽型 - 晶體管輸出 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Internal Chip Change 04/May/2007 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 系列:- 檢測(cè)距離:0.063"(1.6mm) 檢測(cè)方法:可傳導(dǎo)的 輸出配置:光電晶體管 電流 - DC 正向(If):50mA 電流 - 集電極 (Ic)(最大):20mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):35V 響應(yīng)時(shí)間:35µs,35µs 安裝類型:通孔 封裝/外殼:PCB 安裝 包裝:管件 類型:無(wú)放大 工作溫度:-25°C ~ 85°C 其它名稱:425-1978-5
OPB829DZ 功能描述:光學(xué)開關(guān)(透射型,光電晶體管輸出) Slotted Opt Switch RoHS:否 制造商:Omron Electronics 輸出設(shè)備:Phototransistor 槽寬:3.4 mm 光圈寬度:0.5 mm 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:30 V 最大集電極電流:20 mA 正向電流: 安裝風(fēng)格:Through Hole 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 25 C 封裝: