參數(shù)資料
型號： OPB826SD
廠商： TT Electronics/Optek Technology
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 229K
描述： SENS OPTO SLOT 2.29MM 2 NPN THRU
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 1
檢測距離： 0.090"（2.29mm）
檢測方法： 可傳導(dǎo)的
輸出配置： 2 NPN
電流 - DC 正向(If)： 40mA
電流 - 集電極 (Ic)（最大）： 30mA
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）： 30V
安裝類型： 通孔
封裝/外殼： PCB 安裝
包裝： 散裝
類型： 無放大
工作溫度： -40°C ~ 85°C
OPTEK Technology Inc.  1645 Wallace Drive, Carrollton, Texas 75006 
Phone: (972) 323-2200 or (800) 341-4747    FAX: (972) 323-2396 sensors@optekinc.com www.optekinc.com
Issue B 9/2010
Page 4 of 4
OPTEK reserves the right to make changes at any time in order to improve design and to supply the best product possible.
Dual Channel Encoder
OPB822S, OPB822SD
OPB826S, OPB826SD
Electrical Characteristics (OPB822, OPB826) (T
A
 = 25癈 unless otherwise noted)
SYMBOL
PARAMETER
MIN TYP MAX UNITS
TEST CONDITIONS
Input Diode (see OP14O for OPB822 or OP266 for OPB826 for additional information)
V
F
    Forward Voltage
-    -    1.7    V   I
F
= 20 mA
I
R
    Reverse Current
-    -    100    礎(chǔ)   V
R
= 2 V
Output Phototransistor (see OP550 for OPB822 or OP506 for OPB826 for additional information)
V
(BR)(CEO)
  Collector-Emitter Breakdown Voltage    30   -    -     V   I
C
= 1 mA
V
(BR)(ECO)
  Emitter-Collector Breakdown Voltage    5    -    -     V   I
E
= 100 礎(chǔ)
I
CEO
   Collector-Emitter Leakage Current
-    -    100    nA   V
CE
= 10 V, I
F
= 0, E
E
= 0
Coupled
I
C(ON)
 
On-State Collector Current
   OPB822S
   OPB822SD
   OPB826S
   OPB826SD
 
250
100
250
100
 
-
-
-
-
 
-
-
-
-
 
礎(chǔ)
礎(chǔ)
礎(chǔ)
礎(chǔ)
 
V
CE
= 5 V, I
F
= 20 mA
V
CE
= 5 V, I
F
= 20 mA
V
CE
= 10 V, I
F
= 20 mA
V
CE
= 10 V, I
F
= 20 mA
V
CE(SAT)
 
Collector-Emitter Saturation Voltage
   OPB822S
   OPB822SD
   OPB826S
   OPB826SD
 
-
-
-
-
 
-
-
-
-
 
0.4
0.4
0.4
0.4
 
V
V
V
V
 
I
C
= 125 礎(chǔ), I
F
= 20 mA
I
C
= 50 礎(chǔ), I
F
= 20 mA
I
C
= 125 礎(chǔ), I
F
= 20 mA
I
C
= 50 礎(chǔ), I
F
= 20 mA
I
CX1
 
Crosstalk
   OPB822D, OPB822SD
   OPB826S
   OPB826SD
 
-
-
-
 
-
-
-
 
250
20
10
礎(chǔ)   I
F1
= 0 mA, I
F2
= 20 mA, V
CE
= 10 V
Notes:
(1) All parameters tested using pulse techniques.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
OPB829B SENS OPTO SLOT 3.18MM TRANS C-MT
OPB830W51 SENS OPTO SLOT 3.18MM TRANS C-MT
OPB845B SENS OPTO SLOT 3.18MM TRANS THRU
OPB848TXV SENS OPTO SLOT 2.54MM TRANS THRU
OPB850-1 SENS OPTO SLOT TRAN W/RES SNAPIN
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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OPB827_06 制造商:OPTEK 制造商全稱:OPTEK 功能描述:SLOTTED OPTICAL SWITCHES
OPB827A 功能描述:光學(xué)開關(guān)（透射型，光電晶體管輸出） Slotted Opt Switch RoHS:否 制造商:Omron Electronics 輸出設(shè)備:Phototransistor 槽寬:3.4 mm 光圈寬度:0.5 mm 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:30 V 最大集電極電流:20 mA 正向電流: 安裝風(fēng)格:Through Hole 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 25 C 封裝:
OPB827B 功能描述:光學(xué)開關(guān)（透射型，光電晶體管輸出） Slotted Opt Switch RoHS:否 制造商:Omron Electronics 輸出設(shè)備:Phototransistor 槽寬:3.4 mm 光圈寬度:0.5 mm 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:30 V 最大集電極電流:20 mA 正向電流: 安裝風(fēng)格:Through Hole 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 25 C 封裝:
OPB827C 功能描述:光學(xué)開關(guān)（透射型，光電晶體管輸出） Slotted Opt Switch RoHS:否 制造商:Omron Electronics 輸出設(shè)備:Phototransistor 槽寬:3.4 mm 光圈寬度:0.5 mm 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:30 V 最大集電極電流:20 mA 正向電流: 安裝風(fēng)格:Through Hole 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 25 C 封裝:
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