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參數(shù)資料
| 型號： | OPB801L51 |
| 英文描述： | Photo Gap Detector |
| 中文描述： | 照片間隙探測器 |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 147K |
| 代理商： | OPB801L51 |
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| OPB802L51 | 128K I2C™ CMOS Serial EEPROM, -40C to +85C, 8-MSOP, T/R |
| OPB811L51 | Photo Gap Detector |
| OPB813S3 | Photo Gap Detector |
| OPB813S5 | Photo Gap Detector |
| OPB813S7 | Photo Gap Detector |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| OPB801L55 | 功能描述:光學開關(guān)（透射型，光電晶體管輸出） Wide Gap Opt Switch RoHS:否 制造商:Omron Electronics 輸出設(shè)備:Phototransistor 槽寬:3.4 mm 光圈寬度:0.5 mm 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:30 V 最大集電極電流:20 mA 正向電流: 安裝風格:Through Hole 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 25 C 封裝: |
| OPB801W51 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Photo Gap Detector |
| OPB801W55 | 功能描述:光學開關(guān)（透射型，光電晶體管輸出） Wide Gap Opt Switch RoHS:否 制造商:Omron Electronics 輸出設(shè)備:Phototransistor 槽寬:3.4 mm 光圈寬度:0.5 mm 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:30 V 最大集電極電流:20 mA 正向電流: 安裝風格:Through Hole 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 25 C 封裝: |
| OPB801W55Z | 功能描述:光學開關(guān)（透射型，光電晶體管輸出） Wide Gap Opt Switch RoHS:否 制造商:Omron Electronics 輸出設(shè)備:Phototransistor 槽寬:3.4 mm 光圈寬度:0.5 mm 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:30 V 最大集電極電流:20 mA 正向電流: 安裝風格:Through Hole 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 25 C 封裝: |
| OPB802L51 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Photo Gap Detector |
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