參數(shù)資料
型號: OPB202
廠商: TT Electronics/Optek Technology
文件頁數(shù): 2/5頁
文件大?。?/td> 234K
描述: SWITCH SLOTTED OPTICAL
標準包裝: 1,000
檢測距離: 0.110"(2.79mm)
檢測方法: 可傳導(dǎo)的
輸出配置: 光電晶體管
電流 - DC 正向(If): 50mA
電流 - 集電極 (Ic)(最大): 20mA
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大): 30V
響應(yīng)時間: 3µs,4µs
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: PCB 安裝
包裝: 散裝
類型: 無放大
工作溫度: -25°C ~ 85°C
OPTEK Technology Inc.  1645 Wallace Drive, Carrollton, Texas 75006 
Phone: (972) 323-2200 or (800) 341-4747    FAX: (972) 323-2396 sensors@optekinc.com www.optekinc.com
Issue A 02/06
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OPTEK reserves the right to make changes at any time in order to improve design and to supply the best product possible.
Slotted Optical Switch
OPB202
Electrical Characteristics (T
A
 = 25癈 unless otherwise noted)
SYMBOL
PARAMETER
MIN TYP MAX UNITS
TEST CONDITIONS
Input Diode
V
F
    Forward Voltage
-    -    1.6    V   I
F
 = 20 mA
I
R
    Reverse Current
-    -    100    礎(chǔ)   V
R
 = 2.0 V
Output Phototransistor
V
(BR)CEO
  Collector-Emitter Breakdown Voltage    30    -     -     V   I
C
 = 1 mA
V
(BR)ECO
  Emitter-Collector Breakdown Voltage    5    -     -     V   I
E
 = 100 礎(chǔ)
I
CEO
   Collector Dark Current
-    -    100    nA   V
CE
 = 10 V, I
F
 = 0, E
E
 = 0
t
r
    Rise Time
-    3    15    祍
t
f
    Fall Time
-    4    20    祍
Combined
V
CE(SAT)
  Collector-Emitter Saturation Voltage     -    -    0.4    V   I
C
 = 2.5 mA, I
F
 = 20 mA
I
C(ON)
   On-State Collector Current
5.0    -     -    mA   V
CE
 = 5 V, I
F
 = 20 mA
V
CE
 = 5 V, I
C
 = 2 mA, R
L
 = 100 &
Notes:
(1) RMA flux is recommended. Duration can be extended to 10 seconds maximum when flow soldering.
(2) Derate linearly 1.67 mW/癈 above 25 ?C.
(3) All parameters tested using pulse techniques.
(4) Methanol or isopropanol are recommended as cleaning agents. Plastic housing is soluble in chlorinated hydrocarbons and ke-
tones.
Absolute Maximum Ratings (T
A
=25癈 unless otherwise noted)
Storage & Operating Temperature Range
-25癈 to +85?C
Lead Soldering Temperature [1/16 inch (1.6mm) from the case for 5 sec. with soldering iron]
(1)
 
260?C
Input Diode
Forward DC Current
50 mA
Peak Forward Current (1 祍 pulse width, 300 pps)
1 A
Reverse DC Voltage
2 V
Power Dissipation
(2)
 
75 mW
Collector-Emitter Voltage
30 V
Emitter-Collector Voltage
5 V
Output Phototransistor
Collector DC Current
 
20 mA
Power Dissipation
(2)
100 mW
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