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參數(shù)資料
| 型號： | OP299 |
| 廠商： | OPTEK TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | 紅外LED |
| 英文描述： | GaAlAs Plastic Infrared Emitting Diode |
| 中文描述： | 4.955 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 890 nm |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大小： | 226K |
| 代理商： | OP299 |
Types OP294, OP299
Elec ri cal Char ac er s ics
(T
A
= 25
o
C un ess oth er wise noted)
Op ek re serves the right to make changes at any time in or der to im prove de sign and to sup ply the best prod uct pos si ble.
Op ek Tech nol ogy, Inc. 1215 W. Crosby Road Car oll on, Texas 75006 (972)323- 2200 Fax (972)323- 2396
2-57
SYM BOL
PA RAME TER
MIN
TYP MAX UNITS
TEST CON DI TIONS
E
e(APT)
Apertured Radiant Incidence
OP294
OP299
0.50
0.15
1.50
0.45
mW/cm
2
mW/cm
2
I
F
= 5 mA
(4)
I
F
= 5 mA
(3)
V
F
Forward Voltage
1.50
V
I
F
= 5 mA
I
R
Reverse Current
10
μ
A
V
R
= 2 V
λ
p
Wavelength at Peak Emission
890
nm
I
F
= 10 mA
B
Spectral Bandwidth Between Half Power Points
80
nm
I
F
= 10 mA
λ
p/
T
Spectral Shift with Temperature
+0.18
nm/
o
C I
F
= Constant
θ
HP
Emission Angle at Half Power Points
OP294
OP299
50
20
Deg.
Deg.
I
F
= 10 mA
I
F
= 10 mA
t
r
Output Rise Time
500
ns
I
F(PK)
= 100 mA,
PW = 10
μ
s, D.C. = 10%
t
f
Output Fall Time
250
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| OP297 | GaAlAs Plastic Infrared Emitting Diode(鋁砷化鎵塑料封裝紅外發(fā)光二極管,窄入射模式，峰值前向電流1.0A) |
| OP295 | GaAlAs Plastic Infrared Emitting Diode(鋁砷化鎵塑料封裝紅外發(fā)光二極管,窄入射模式，峰值前向電流5.0A) |
| OP296 | GaAlAs Plastic Infrared Emitting Diode(鋁砷化鎵塑料封裝紅外發(fā)光二極管,窄入射模式，峰值前向電流2.0A) |
| OP298AA | Plastic Infrared Emitting Diode |
| OP296C | Plastic Infrared Emitting Diode |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| OP3 | 制造商:VOX Power 功能描述: 制造商:Vox Power 功能描述: 制造商:VOX POWER LTD 功能描述: |
| OP30 | 制造商:Brady Corporation 功能描述: |
| OP300 | 制造商:Brady Corporation 功能描述: |
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| OP301 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NPN Silicon Photodarlingtons |
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