@ VO = ±5.0 V, –4.9 V ≤ V
參數(shù)資料
型號： OP291GS-REEL
廠商： Analog Devices Inc
文件頁數(shù)： 20/24頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC OPAMP GP R-R 3MHZ DUAL 8SOIC
標準包裝： 2,500
放大器類型： 通用
電路數(shù)： 2
輸出類型： 滿擺幅
轉(zhuǎn)換速率： 0.5 V/µs
增益帶寬積： 3MHz
電流 - 輸入偏壓： 30nA
電壓 - 輸入偏移： 80µV
電流 - 電源： 260µA
電流 - 輸出 / 通道： 16mA
電壓 - 電源，單路/雙路(±)： 2.7 V ~ 12 V，±1.35 V ~ 6 V
工作溫度： -40°C ~ 125°C
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商設備封裝： 8-SO
包裝： 帶卷 (TR)
OP191/OP291/OP491
Rev. E | Page 5 of 24
@ VO = ±5.0 V, –4.9 V ≤ VCM ≤ +4.9 V, TA = +25°C, unless otherwise noted.
Table 3.
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
INPUT CHARACTERISTICS
Offset Voltage
OP191
VOS
80
500
μV
40°C ≤ TA ≤ +125°C
1
mV
OP291/OP491
VOS
80
700
μV
40°C ≤ TA ≤ +125°C
1.25
mV
Input Bias Current
IB
30
65
nA
40°C ≤ TA ≤ +125°C
95
nA
Input Offset Current
IOS
0.1
11
nA
40°C ≤ TA ≤ +125°C
22
nA
Input Voltage Range
5
+5
V
Common-Mode Rejection Ratio
CMRR
VCM = ±5 V
75
100
dB
40°C ≤ TA ≤ +125°C
67
97
dB
Large Signal Voltage Gain
AVO
RL = +10 kΩ, VO = ±4.7 V
25
70
40°C ≤ TA ≤ +125°C
50
V/mV
Offset Voltage Drift
VOS/T
1.1
μV/°C
Bias Current Drift
IB/T
100
pA/°C
Offset Current Drift
IOS/T
20
pA/°C
OUTPUT CHARACTERISTICS
Output Voltage Swing
VO
RL = 100 kΩ to GND
±4.93
±4.99
V
40°C to +125°C
±4.90
±4.98
V
RL = 2 kΩ to GND
±4.80
±4.95
V
–40°C ≤ TA ≤ +125°C
±4.65
±4.75
V
Short-Circuit Limit
ISC
Sink/source
±8.75
±16.00
mA
40°C to +125°C
±6
±13
mA
Open-Loop Impedance
ZOUT
f = 1 MHz, AV = 1
200
Ω
POWER SUPPLY
Power Supply Rejection Ratio
PSRR
VS = ±5 V
80
110
dB
40°C ≤ TA ≤ +125°C
75
100
dB
Supply Current/Amplifier
ISY
VO = 0 V
260
420
μA
40°C ≤ TA ≤ +125°C
390
550
μA
DYNAMIC PERFORMANCE
Slew Rate
±SR
RL = 10 kΩ
0.5
V/μs
Full-Power Bandwidth
BWP
1% distortion
1.2
kHz
Settling Time
tS
To 0.01%
22
μs
Gain Bandwidth Product
GBP
3
MHz
Phase Margin
θO
45
Degrees
Channel Separation
CS
f = 1 kHz
145
dB
NOISE PERFORMANCE
Voltage Noise
en p-p
0.1 Hz to 10 Hz
2
μV p-p
Voltage Noise Density
en
f = 1 kHz
42
nV/√Hz
Current Noise Density
in
0.8
pA/√Hz
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PDF描述
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