參數(shù)資料
型號(hào)： NZQA6V2XV5T1
廠(chǎng)商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類(lèi)： 參考電壓二極管
英文描述： Quad Array for ESD Protection(用于進(jìn)行ESD保護(hù)的四TVS陣列)
中文描述： 100 W, UNIDIRECTIONAL, 4 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE
封裝： LEAD FREE, PLASTIC, CASE 463B-01, 5 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 38K
代理商： NZQA6V2XV5T1
NZQA5V6XV5T1 Series
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25
°
C unless otherwise noted)
Symbol
Parameter
I
PP
Maximum Reverse Peak Pulse Current
V
C
Clamping Voltage @ I
PP
V
RWM
Working Peak Reverse Voltage
I
R
Maximum Reverse Leakage Current @ V
RWM
V
BR
Breakdown Voltage @ I
T
I
T
Test Current
V
BR
Maximum Temperature Coefficient of V
BR
I
F
Forward Current
V
F
Forward Voltage @ I
F
Z
ZT
Maximum Zener Impedance @ I
ZT
I
ZK
Reverse Current
Z
ZK
Maximum Zener Impedance @ I
ZK
Uni-Directional
I
PP
I
F
V
I
I
R
I
T
V
RWM
V
C
V
BR
V
F
MAXIMUM RATINGS
(T
A
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Value
Unit
Peak Power Dissipation (8 X 20 s @ T
A
= 25
°
C) (Note 1)
P
PK
100
W
Steady State Power - 1 Diode (Note 2)
P
D
300
mW
Thermal Resistance Junction to Ambient
Above 25
°
C, Derate
R
JA
370
2.7
°
C/W
mW/
°
C
Maximum Junction Temperature
T
Jmax
150
°
C
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
T
stg
-55 to +150
°
C
ESD Discharge
MIL STD 883C - Method 3015-6
IEC1000-4-2, Air Discharge
IEC1000-4-2, Contact Discharge
V
PP
16
16
9
kV
Lead Solder Temperature (10 seconds duration)
T
L
260
°
C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25
°
C)
Device
Marking
Breakdown Voltage
V
BR
@ 1 mA (Volts)
Leakage Current
I
RM
@ V
RM
V
C
Max @ I
PP
Typ Capacitance
@ 0 V Bias
(Note 3)
Max
V
F
@ I
F
=
200 mA
Device
Min
Nom
Max
V
RWM
I
RWM
( A)
V
C
(V)
I
PP
(A)
(pF)
(V)
NZQA5V6XV5T1
56
5.32
5.6
5.88
3.0
1.0
10.5
10
90
1.3
NZQA6V2XV5T1
62
5.89
6.2
6.51
4.0
0.5
11.5
9.0
80
1.3
NZQA6V8XV5T1
68
6.46
6.8
7.14
4.3
0.1
12.5
8.0
70
1.3
1. Non-repetitive current per Figure 1.
2. Only 1 diode under power. For all 4 diodes under power, P
D
will be 25%. Mounted on FR-4 board with min pad.
3. Capacitance of one diode at f = 1 MHz, V
R
= 0 V, T
A
= 25
°
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NZQA5V6XV5T1 Quad Array for ESD Protection(用于進(jìn)行ESD保護(hù)的四TVS陣列)
NZQA6V8XV5T1 Quad Array for ESD Protection(用于進(jìn)行ESD保護(hù)的四TVS陣列)
Q-62702-G66 GaAs MMIC (Variable gain amplifier MMIC-Amplifier for mobile communication Typical Gain Control range over 50dB)
Q-67106-H6514 PLL-Frequency Synthesizer PMB2306R/PMB2306T Version 2.2
Q0256I2N Logic IC
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參數(shù)描述
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NZQA6V8AXV5T1 功能描述:TVS二極管陣列 Low Cap. TVS Quad RoHS:否 制造商:Littelfuse 極性: 通道:4 Channels 擊穿電壓: 鉗位電壓:11.5 V 工作電壓:2.5 V 峰值浪涌電流:20 A 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 端接類(lèi)型:SMD/SMT 系列: 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C
NZQA6V8AXV5T1G 功能描述:TVS二極管陣列 Low Cap. TVS Quad Array for ESD RoHS:否 制造商:Littelfuse 極性: 通道:4 Channels 擊穿電壓: 鉗位電壓:11.5 V 工作電壓:2.5 V 峰值浪涌電流:20 A 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 端接類(lèi)型:SMD/SMT 系列: 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C
NZQA6V8AXV5T2 功能描述:TVS二極管陣列 LOW CAP ZENER QUA RoHS:否 制造商:Littelfuse 極性: 通道:4 Channels 擊穿電壓: 鉗位電壓:11.5 V 工作電壓:2.5 V 峰值浪涌電流:20 A 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 端接類(lèi)型:SMD/SMT 系列: 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C
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