參數資料
型號： NX3008NBKS
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 30 V, 350 mA dual N-channel Trench MOSFET
中文描述： SMALL SIGNAL, FET
封裝： PLASTIC, SC-88, 6 PIN
文件頁數： 1/17頁
文件大小： 891K
代理商： NX3008NBKS
1.
Product profile
1.1 General description
Dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT363
(SC-88) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET
technology.
1.2 Features and benefits
Very fast switching
Low threshold voltage
Trench MOSFET technology
ESD protection up to 2 kV
AEC-Q101 qualified
1.3 Applications
Relay driver
High-speed line driver
Low-side loadswitch
Switching circuits
1.4 Quick reference data
Table 1.
Symbol
Per transistor
V
DS
V
GS
I
D
Static characteristics (per transistor)
R
DSon
drain-source on-state
resistance
[1]
Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated, mounting pad for
drain 1 cm
2
.
NX3008NBKS
30 V, 350 mA dual N-channel Trench MOSFET
Rev. 1 — 1 August 2011
Product data sheet
Quick reference data
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
drain-source voltage
gate-source voltage
drain current
T
j
= 25 °C
-
-8
-
-
-
30
8
350
V
V
mA
V
GS
= 4.5 V; T
amb
= 25 °C
[1]
-
V
GS
= 4.5 V; I
D
= 350 mA;
T
j
= 25 °C
-
1
1.4
相關PDF資料
PDF描述
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參數描述
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