參數(shù)資料
型號(hào): NVD5862NT4G
廠商: ON Semiconductor
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描述: MOSFET N-CH 60V 90A DPAK-4
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 2,500
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓(Vdss): 60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 18A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 5.7 毫歐 @ 48A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 82nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 6000pF @ 25V
功率 - 最大: 4.1W
安裝類(lèi)型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-252-3,DPak(2 引線(xiàn)+接片),SC-63
供應(yīng)商設(shè)備封裝: DPAK-3
包裝: 帶卷 (TR)