參數(shù)資料
型號(hào): NVB6410ANT4G
廠商: ON Semiconductor
文件頁數(shù): 2/7頁
文件大小: 0K
描述: MSOFET N-CH 100V 76A D2PAK
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 800
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 76A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 13 毫歐 @ 76A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 120nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 4500pF @ 25V
功率 - 最大: 188W
安裝類型: *
封裝/外殼: *
供應(yīng)商設(shè)備封裝: *
包裝: *