參數資料
型號: NVB25P06T4G
廠商: ON Semiconductor
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描述: MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
標準包裝: 800
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點: 標準
漏極至源極電壓(Vdss): 60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 27.5A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 82 毫歐 @ 25A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 50nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1680pF @ 25V
功率 - 最大: 120W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應商設備封裝: D2PAK
包裝: 帶卷 (TR)