參數(shù)資料
型號： NUP5120X6
廠商： ON SEMICONDUCTOR
英文描述： 5 Line Transient Voltage Suppressor Array(5線瞬變電壓抑制器陣列)
中文描述： 5線的瞬態(tài)電壓抑制器陣列（5線瞬變電壓抑制器陣列）
文件頁數(shù)： 2/4頁
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代理商： NUP5120X6
NUP5120X6
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
Parameter
Conditions
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Reverse Working Voltage
(Note 2)
V
RWM
5.0
V
Breakdown Voltage
I
T
= 1 mA, (Note 3)
V
BR
6.2
6.8
7.2
V
Reverse Leakage Current
V
RWM
= 3 V
I
R
0.01
0.5
A
Capacitance
V
R
= 0 V, f = 1 MHz (Line to GND)
V
R
= 2.5 V, f = 1 MHz (Line to GND)
C
J
54
70
pF
2. TVS devices are normally selected according to the working peak reverse voltage (V
RWM
), which should be equal or greater than the DC
or continuous peak operating voltage level.
3. V
BR
is measured at pulse test current I
T
.
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PDF描述
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參數(shù)描述
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NUP5150MU 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:5-Line Transient Voltage Suppressor Array
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