| 型號： | NTR2101PT1G |
| 廠商： | ON Semiconductor |
| 文件頁數(shù)： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 8V 3.7A SOT-23 |
| 產(chǎn)品變化通告： | Wire Change for SOT23 Pkg 26/May/2009 |
| 產(chǎn)品目錄繪圖： | MOSFET SOT-23-3 Pkg |
| 標準包裝： | 10 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點： | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 8V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 3.7A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 52 毫歐 @ 3.5A，4.5V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 4.5V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 1173pF @ 4V |
| 功率 - 最大： | 960mW |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供應商設備封裝： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包裝： | 標準包裝 |
| 產(chǎn)品目錄頁面： | 1558 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名稱： | NTR2101PT1GOSDKR |