參數(shù)資料
型號(hào): NTMFS5832NLT1G
廠商: ON Semiconductor
文件頁數(shù): 3/6頁
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描述: MOSFET N-CH 40V 110A SO-8FL
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 40V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 20A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 4.2 毫歐 @ 20A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 51nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 2700pF @ 25V
功率 - 最大: 3.1W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-TDFN 裸露焊盤(5 引線)
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 6-DFN,8-SO 扁平引線(5x6)
包裝: 標(biāo)準(zhǔn)包裝
其它名稱: NTMFS5832NLT1GOSDKR