參數(shù)資料
型號(hào): NTMFS4897NFT1G
廠商: ON Semiconductor
文件頁(yè)數(shù): 1/6頁(yè)
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描述: MOSFET N-CH 30V SO-8FL
產(chǎn)品目錄繪圖: SO8 FL
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 17A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 2 毫歐 @ 22A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 83.6nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 5660pF @ 15V
功率 - 最大: 950mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-TDFN 裸露焊盤(pán)(5 引線)
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 6-DFN,8-SO 扁平引線(5x6)
包裝: 標(biāo)準(zhǔn)包裝
其它名稱: NTMFS4897NFT1GOSDKR