參數(shù)資料
型號(hào): NTLGD3502NT2G
廠商: ON Semiconductor
文件頁數(shù): 8/8頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH DUAL 20V 6-DFN
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 3,000
FET 型: 2 個(gè) N 溝道(雙)
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 4.3A,3.6A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 60 毫歐 @ 4.3A,4.5V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 480pF @ 10V
功率 - 最大: 1.74W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 6-VDFN 裸露焊盤
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 6-DFN(3x3)
包裝: 帶卷 (TR)