| 型號： |
NTJS3151PT1G |
| 廠商： |
ON Semiconductor |
| 文件頁數(shù)： |
3/6頁 |
| 文件大?。?/td>
| 0K |
| 描述： |
MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363 |
| 產(chǎn)品目錄繪圖： |
MOSFET SOT-363 Pkg
|
| 標準包裝： |
10 |
| FET 型： |
MOSFET P 通道，金屬氧化物
|
| FET 特點： |
邏輯電平門
|
| 漏極至源極電壓(Vdss)： |
12V
|
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： |
2.7A
|
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： |
60 毫歐 @ 3.3A，4.5V
|
| Id 時的 Vgs(th)（最大）： |
400mV @ 100µA
|
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： |
8.6nC @ 4.5V
|
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： |
850pF @ 12V
|
| 功率 - 最大： |
625mW
|
| 安裝類型： |
表面貼裝
|
| 封裝/外殼： |
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
|
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： |
SOT-363
|
| 包裝： |
標準包裝 |
| 產(chǎn)品目錄頁面： |
1558 (CN2011-ZH PDF)
|
| 其它名稱： |
NTJS3151PT1GOSDKR
|