| 型號： | NTJD4158CT1G |
| 廠商： | ON Semiconductor |
| 文件頁數(shù)： | 5/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CHAN COMPL SOT-363 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 溝道 |
| FET 特點(diǎn)： | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 30V，20V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 250mA，880mA |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.5 歐姆 @ 10mA，4.5V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 100µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 1.5nC @ 5V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 33pF @ 5V |
| 功率 - 最大： | 270mW |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | SOT-363 |
| 包裝： | 標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 其它名稱： | NTJD4158CT1GOSDKR |