參數(shù)資料
型號(hào): NTJD4152PT1
廠商: ON Semiconductor
文件頁數(shù): 2/5頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CHAN DUAL 20V SOT-363
產(chǎn)品變化通告: LTB Notification 03/Jan/2008
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 3,000
FET 型: 2 個(gè) P 溝道(雙)
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 880mA
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 260 毫歐 @ 880mA,4.5V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 450mV @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 155pF @ 20V
功率 - 最大: 272mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供應(yīng)商設(shè)備封裝: SOT-363
包裝: 帶卷 (TR)