| 型號(hào)： |
NTJD1155LT1G |
| 廠商： |
ON Semiconductor |
| 文件頁(yè)數(shù)： |
1/5頁(yè) |
| 文件大?。?/td>
| 0K |
| 描述： |
MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363 |
| 產(chǎn)品目錄繪圖： |
MOSFET SOT-363 Pkg
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| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： |
10 |
| FET 型： |
N 和 P 溝道
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| FET 特點(diǎn)： |
標(biāo)準(zhǔn)
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| 漏極至源極電壓(Vdss)： |
8V
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| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： |
1.3A
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| 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： |
175 毫歐 @ 1.2A，4.5V
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| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）： |
1V @ 250µA
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| 功率 - 最大： |
400mW
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| 安裝類(lèi)型： |
表面貼裝
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| 封裝/外殼： |
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
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| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： |
SOT-363
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| 包裝： |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 產(chǎn)品目錄頁(yè)面： |
1558 (CN2011-ZH PDF)
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| 其它名稱(chēng)： |
NTJD1155LT1GOSDKR
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