參數(shù)資料
型號(hào): NTHD4P02FT1G
廠商: ON Semiconductor
文件頁數(shù): 1/7頁
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描述: MOSFET P-CH 20V 2.2A CHIPFET
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 二極管(隔離式)
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 2.2A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 155 毫歐 @ 2.2A,4.5V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 1.2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 300pF @ 10V
功率 - 最大: 1.1W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SMD,扁平引線
供應(yīng)商設(shè)備封裝: ChipFET?
包裝: 標(biāo)準(zhǔn)包裝
其它名稱: NTHD4P02FT1GOSDKR