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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | NTE65101 |
| 廠(chǎng)商： | NTE Electronics, Inc. |
| 英文描述： | Integrated Circuit 256 x 4-Bit Static Random Access Memory (SRAM) |
| 中文描述： | 集成電路256 × 4位靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SRAM） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/4頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 30K |
| 代理商： | NTE65101 |
CE 1
OD
V
CC
A4
Pin Connection Diagram
DO 3
DI 3
R/W
GND
DI 1
A5
A6
A7
A0
A1
DI 4
A2
1
2
3
4
5
6
7
8
9
A3
22
21
20
19
18
17
CD 2
16
15
14
13
12
DO 2
DO 1
DI 2
11
10
DO 4
22
12
1
11
1.300 (33.0)
1.000 (25.4)
.100 (2.54)
.410
(11.41)
.216
(5.5)
.110 (2.79)
.400
(10.16)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| NTE67 | MOSFET N-Ch, Enhancement Mode High Speed Switch |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| NTE655 | 制造商:NTE Electronics 功能描述:CRYSTAL - 4.0000 MHZ |
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