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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | NTE6080 |
| 廠(chǎng)商： | NTE Electronics, Inc. |
| 英文描述： | Silicon Schottky Barrier Rectifier |
| 中文描述： | 硅肖特基整流器 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/2頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 19K |
| 代理商： | NTE6080 |
Electrical Characteristics:
(Note 1)
Maximum Instantaneous Forward Voltage, v
F
i
F
= 10A
T
C
= +125
°
C
T
C
= +25
°
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
i
F
= 20A
T
C
= +125
°
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
T
C
= +25
°
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Maximum Instantaneous Reverse Current (Rated DC Voltage), i
R
T
C
= +125
°
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
T
C
= +25
°
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Note 1. Pulse Test: Pulse Width = 300
μ
s, Duty Cycle
≤
2%.
0.7V
0.8V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
0.85V
0.95V
150mA
0.15mA
.139 (3.53)
Dia Min
.269
(6.83)
Max
.419
(10.62)
Max
.624
(15.83)
Max
.500
(12.7)
Max
K
A
.038 (0.98) Min
.195 (4.92) Max
.200 (5.08)
.025 (0.65)
Max
.054
(1.38)
Tab
Common
to K
+
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTE6081 | Silicon Schottky Barrier Rectifier |
| NTE6082 | Silicon Schottky Barrier Rectifier |
| NTE6083 | Schottky Barrier Rectifier |
| NTE6084 | Silicon Rectifier Schottky Barrier |
| NTE6086 | Silicon Dual Schottky Rectifier |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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