參數(shù)資料
型號： NTE601
廠商： NTE Electronics, Inc.
英文描述： Silicon Varistor Temperature Compensating Diode
中文描述： 壓敏電阻溫度補(bǔ)償硅二極管
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大小： 15K
代理商： NTE601
NTE601
Silicon Varistor
Temperature Compensating Diode
Features:
High reliability planar chip and glass sealing
Low I
R
Large P
D
Absolute Maximum Ratings:
(T
A
= +25
°
C unless otherwise specified)
Maximum Forward Current, I
FM
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Reverse Voltage, V
R
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Power Dissipation, P
D
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Junction Temperature, T
J
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Storage Temperature Range, T
stg
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
150mA
6V
150mW
+150
°
C
–55
°
to +150
°
C
Electrical Characteristics:
(T
A
= +25
°
C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
μ
A
V
Reverse Current
I
R
V
F
V
R
= 6V
I
F
= 1.5mA
I
F
= 50mA
I
F
= 1.5mA
–
–
10
Forward Voltage
0.59
–
0.64
–
–
1.1
V
Forward Voltage Change with Respect to Temperature
–
V
F
/
T
–
2.0
–
mV/
°
C
.500 (12.7)
Min
.500 (12.7)
Min
.118
(3.0)
Max
.099 (2.51) Max
.099 (2.51) Max
.022 (0.56) Max
.080 (2.03)
Dia Max
Color Band Denotes Cathode
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