參數(shù)資料
型號(hào)： NTE31
廠商： NTE Electronics, Inc.
英文描述： Silicon Complementary Transistors TV Sound Output, TV Vertical Output, AF Driver Output
中文描述： 硅晶體管電視機(jī)聲音互補(bǔ)輸出，電視垂直輸出，自動(dòng)對(duì)焦驅(qū)動(dòng)器輸出
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大小： 20K
代理商： NTE31
NTE31 (NPN) & NTE32 (PNP)
Silicon Complementary Transistors
TV Sound Output, TV Vertical Output,
AF Driver Output
Features:
High Voltage: V
CEO
= 160V
High Continuous Collector Current Capability
Applications:
Vertical Deflection Output & Sound Output Applications for Line Operated TV
Absolute Maximum Ratings:
(T
A
= +25
°
C unless otherwise specified)
Collector–Base Voltage, V
CBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Collector–Emitter Voltage, V
CEO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Emitter–Base Voltage, V
EBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Collector Current, I
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Base Current, I
B
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Collector Power Dissipation, P
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Junction Temperature, T
J
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Storage Temperature Range, T
stg
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
160V
160V
6V
1A
500mA
900mW
+150
°
C
–55
°
to +150
°
C
Electrical Characteristics:
(T
A
= +25
°
C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector–Emitter Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE(sat)
V
BE
I
C
= 10mA, I
B
= 0
V
CB
= 150V, I
E
= 0
V
EB
= 6V, I
C
= 0
V
CE
= 5V, I
C
= 200mA
I
C
= 500mA, I
B
= 50mA
V
CE
= 5V, I
C
= 5mA
160
–
–
V
μ
A
μ
A
Collector Cutoff Current
–
–
1.0
Emitter Cutoff Current
–
–
1.0
DC Current Gain
100
–
200
Collector–Emitter Saturation Voltage
–
–
1.5
V
Base–Emitter Voltage
0.45
–
0.75
V
Transition Frequency
NTE31
NTE32
f
T
V
CE
= 5V, I
C
= 200mA
20
15
100
50
–
–
MHz
MHz
Collector Output Capacitance
NTE31
C
ob
V
CB
= 10V, I
E
= 0, f = 1MHz
–
–
20
pF
NTE32
–
–
35
pF
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