
NTE171
Silicon NPN Transistor
Audio/Video Amplifier
Description:
The NTE171 is a silicon NPN transistor in a TO202 type case designed for high–voltage TV video and
chroma output circuits, high–voltage linear amplifiers, and high–voltage transistor regulators.
Features:
High Collector–Emitter Breakdown Voltage Voltage: V
(BR)CER
= 300V @ I
C
= 1mA
Low Collector–Base Capacitance: C
cb
= 3pF Max @ V
CB
= 20V
Absolute Maximum Ratings:
Collector–Emitter Voltage (I
C
= 1mA, R
BE
= 10k
, Note 1), V
CER
Collector–Base Voltage, V
CBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Emitter–Base Voltage, V
EBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Collector Current, I
C
Continuous
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Peak
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Base Current, I
B
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Total Power Dissipation (T
A
= +25
°
C), P
D
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Derate Above 25
°
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Total Power Dissipation (T
C
= +25
°
C), P
D
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Derate Above 25
°
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Operating Junction Temperature Range, T
J
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Storage Temperature Range, T
stg
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Thermal Resistance, Junction to Ambient, R
Θ
JA
Thermal Resistance, Junction to Case, R
Θ
JC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Lead Temperature (During Soldering, 1/16” from case, 10sec), T
L
Note 1. Pulse Test: Pulse Width
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
2%.
300V
300V
5V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
100mA
700mA
250mA
1.67W
13.3mW/
°
C
6.25W
50mW/
°
C
–55
°
to +150
°
C
–55
°
to +150
°
C
75
°
C/W
20
°
C/W
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
+260
°
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .