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參數(shù)資料
| 型號： | NTE100 |
| 廠商： | NTE Electronics, Inc. |
| 英文描述： | Germanium Complementary Transistors Oscillator, Mixer for AM Radio, Medium Speed Switch |
| 中文描述： | 鍺互補(bǔ)晶體管振蕩器，調(diào)幅收音機(jī)，中等混合速開關(guān) |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 25K |
| 代理商： | NTE100 |
NTE100 (PNP) & NTE101 (NPN)
Germanium Complementary Transistors
Oscillator, Mixer for AM Radio,
Medium Speed Switch
Absolute Maximum Ratings:
(T
A
= +25
°
C unless otherwise specified)
Collector–Base Voltage, V
CBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Collector–Emitter Voltage (Note 1), V
CEO
NTE100
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE101
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Emitter–Base Voltage, V
EBO
NTE100
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE101
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Collector Current, I
C
NTE100
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE101
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Emitter Current (NTE100 Only), I
E
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Total Device Dissipation, P
D
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Derate Above 25
°
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Operating Collector Junction Temperature, T
J
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Storage Temperature Range, T
stg
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Note 1. Punch–through voltage.
25V
24V
25V
12V
25V
100mA
300mA
100mA
150mW
2.5mW/
°
C
+85
°
C
–65
°
to +100
°
C
Electrical Characteristics:
(T
A
= +25
°
C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector–Base Brteakdown Voltage
NTE100
V
(BR)CBO
I
E
= 0
I
C
= 20
μ
A
I
C
= 100
μ
A
25
–
–
V
NTE101
25
–
–
V
Emitter–Base Breakdown Voltage
NTE100
V
(BR)EBO
I
C
= 0
I
E
= 20
μ
A
I
E
= 100
μ
A
12
25
–
–
–
–
V
V
NTE101
Punch Through Voltage
NTE100
V
PT
V
EBfl
= 1V, Note 2
24
25
–
–
–
–
V
V
NTE101
Collector Cutoff Current
NTE100
I
CBO
I
E
= 0
V
CB
= 12V
V
CB
= 12V, T
A
= +80
°
C
V
CB
= 25V
–
1
5
μ
A
μ
A
μ
A
–
40
90
NTE101
–
3
6
Note 2. V
PT
is determined by measuring the Emitter–Base floating potential V
EBfl
. The Collector–
Base Voltage, V
CB
, is increased until V
EBfl
= 1V; this value of V
CB
= (V
PT
+ 1V). Care must
be taken not to exceed maximum Collector–Base Voltage specified under maximum ratings.
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