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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | NTD60N02RT4G |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | Power MOSFET 62 A, 24 V, N−Channel, DPAK |
| 中文描述： | 32 A, 25 V, 0.0105 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | LEAD FREE, CASE 369AA-01, DPAK-3 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/8頁(yè) |
| 文件大小： | 81K |
| 代理商： | NTD60N02RT4G |
NTD60N02R
http://onsemi.com
3
TYPICAL CHARACTERISTICS
10
100
1000
10000
I
D
,
0
6
12
18
24
V
DS
, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (V)
T
J
= 100
°
C
T
J
= 175
°
C
V
GS
= 0 V
100000
0
20
40
60
80
100
120
0
2
4
6
8
10
V
DS
, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
V
GS
= 10 V
140
4.5 V
5.0 V
4.0 V
3.8 V
3.6 V
3.4 V
3.2 V
3.0 V
2.8 V
4.2 V
2.4 V
8.0 V
6.0 V
2.6 V
T
J
= 25
°
C
Figure 1. OnRegion Characteristics
0.05
2
4
6
8
10
R
D
,
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 3. OnResistance versus
GatetoSource Voltage
V
GS
, GATETOSOURCE VOLTAGE (V)
V
GS
, GATETOSOURCE VOLTAGE (V)
I
D
= 62 A
T
J
= 25
°
C
0
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
20
40
60
80
100
120
T
J
= 25
°
C
V
GS
= 4.5 V
Figure 4. OnResistance versus Drain Current
and Gate Voltage
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
R
D
,
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
50
25
0
25
50
75
100
125
150
Figure 5. OnResistance Variation with
Temperature
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
R
D
,
(
Figure 6. DraintoSource Leakage Current
versus Voltage
0
20
40
60
80
100
120
0
2
4
6
8
T
J
= 55
°
C
T
J
= 25
°
C
T
J
= 175
°
C
V
DS
10 V
I
D
= 31 A
V
GS
= 10 V
0.04
0.03
0.02
0.01
0
I
D
,
V
GS
= 10 V
140
2.0
175
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