| 型號(hào): | NTD60N02R-032G |
| 廠商: | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類: | JFETs |
| 英文描述: | Power MOSFET 62 A, 24 V, N−Channel, DPAK |
| 中文描述: | 32 A, 24 V, 0.0105 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝: | CASE 369D-01, DPAK-3 |
| 文件頁(yè)數(shù): | 6/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 81K |
| 代理商: | NTD60N02R-032G |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTD60N02R-1G | Power MOSFET 62 A, 24 V, N−Channel, DPAK |
| NTD60N02RG | Power MOSFET 62 A, 24 V, N−Channel, DPAK |
| NTD60N02RT4 | Power MOSFET 62 A, 24 V, N−Channel, DPAK |
| NTD60N02RT4G | Power MOSFET 62 A, 24 V, N−Channel, DPAK |
| NTE0509M | Isolated 1W Single Output SM DC/DC Converters |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NTD60N02R-035 | 功能描述:MOSFET 25V 62A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| NTD60N02R-1G | 功能描述:MOSFET 25V 62A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| NTD60N02R-35G | 功能描述:MOSFET 25V 62A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| NTD60N02RG | 功能描述:MOSFET 25V 62A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| NTD60N02RT4 | 功能描述:MOSFET 25V 62A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |