| 型號(hào)： |
NP82N06PDG-E1-AY |
| 廠商： |
Renesas Electronics America |
| 文件頁(yè)數(shù)： |
1/10頁(yè) |
| 文件大小： |
0K |
| 描述： |
MOSFET N-CH 60V 82A TO-263 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： |
800 |
| FET 型： |
MOSFET N 通道，金屬氧化物
|
| FET 特點(diǎn)： |
邏輯電平門(mén)
|
| 漏極至源極電壓(Vdss)： |
60V
|
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： |
82A
|
| 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： |
6.7 毫歐 @ 41A，10V
|
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）： |
2.5V @ 250µA
|
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： |
106nC @ 10V
|
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： |
5700pF @ 25V
|
| 功率 - 最大： |
1.8W
|
| 安裝類(lèi)型： |
表面貼裝
|
| 封裝/外殼： |
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
|
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： |
TO-263
|
| 包裝： |
帶卷 (TR)
|