| 型號(hào)： |
NP36P04SDG-E1-AY |
| 廠商： |
Renesas Electronics America |
| 文件頁(yè)數(shù)： |
5/9頁(yè) |
| 文件大?。?/td>
| 0K |
| 描述： |
MOSFET P-CH -40V -36A TO-252 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： |
1 |
| FET 型： |
MOSFET P 通道，金屬氧化物
|
| FET 特點(diǎn)： |
邏輯電平門
|
| 漏極至源極電壓(Vdss)： |
40V
|
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： |
36A
|
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： |
17 毫歐 @ 18A，10V
|
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）： |
2.5V @ 250µA
|
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： |
55nC @ 10V
|
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： |
2800pF @ 10V
|
| 功率 - 最大： |
1.2W
|
| 安裝類型： |
表面貼裝
|
| 封裝/外殼： |
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
|
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： |
TO-252（MP-3ZK）
|
| 包裝： |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 其它名稱： |
NP36P04SDG-E1-AYDKR
|