參數(shù)資料
型號(hào)： Nlas4501
廠商： ON SEMICONDUCTOR
英文描述： Single SPDT Analog Switch(單刀雙擲模擬開關(guān))
中文描述： 單SPDT模擬開關(guān)（單刀雙擲模擬開關(guān)）
文件頁數(shù)： 4/12頁
文件大?。?/td> 111K
代理商： NLAS4501
NLAS4501
http://onsemi.com
4
ADDITIONAL APPLICATION CHARACTERISTICS
(Voltages Referenced to GND Unless Noted)
V
CC
V
Limit
Symbol
Parameter
Condition
25
°
C
Unit
BW
Maximum On–Channel –3dB Bandwidth or
Maximum On Channel 3dB Bandwidth or
Minimum Frequency Response
Minimum Frequency Res onse
V
IS
=
0 dBm
V
IS
centered between V
CC
and GND
(Figures 6 and 14)
3.0
4.5
5.5
190
200
220
MHz
V
ONL
Maximum Feedthrough On Loss
V
IS
=
0 dBm @ 10 kHz
V
IS
centered between V
CC
and GND
(Figure 6)
3.0
4.5
5.5
–2
–2
–2
dB
V
ISO
Off–Channel Isolation
Off Channel Isolation
f = 100 kHz; V
f = 100 kHz V
IS
=
1 V RMS
IS
CC
V
centered between V
and GND
(Figures 6 and 15)
3.0
4.5
5.5
–93
dB
Q
Charge Injection
Enable Input to Common I/O
Enable In ut to Common I/O
V
IS =
V
CC to
GND, F
IS
= 20 kHz
= t
= 3 ns
t
r
t
f
3 ns
R
= 0 , C
= 1000 pF
C *
Q = C
* V
OUT
(Figures 7 and 16)
3.0
5.5
1.5
3.0
pC
C
IS
L
THD
Total Harmonic Distortion
THD + Noise
= 50 pF
F
IS
= 20 Hz to 1 MHz, R
L
= Rgen = 600 , C
L
= 50 F
3.3
5.5
0.3
0.15
%
= 3.0 V
V
IS
3.0 V
PP
sine wave
V
= 5.0 V
sine wave
IS
PP
(Figure 17)
–55
1.00E+03
1.00E+02
5
1.00E–01
–15
–35
L
1.00E–04
Figure 3. Switch Leakage vs. Temperature
1.00E+05
I
NO(OFF)
TEMPERATURE (
°
C)
1.00E–03
1.00E–02
1.00E+00
1.00E+04
25
45
1.00E–05
1.00E–06
1.00E–07
1.00E+01
65
85
105 125 145
I
COM(ON)
I
COM(OFF)
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PDF描述
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