參數(shù)資料
型號(hào)： NLAS3899BMNTXG
廠商： ON Semiconductor
文件頁(yè)數(shù)： 1/10頁(yè)
文件大?。?/td> 0K
描述： IC SWITCH DUAL DPDT 16QFN
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 3,000
功能： 開(kāi)關(guān)
電路： 2 x DPDT
導(dǎo)通狀態(tài)電阻： 2.2 歐姆
電壓電源： 單電源
電壓 - 電源，單路/雙路(±)： 1.65 V ~ 4.5 V
電流 - 電源： 1µA
工作溫度： -40°C ~ 85°C
安裝類(lèi)型： 表面貼裝
封裝/外殼： 16-VFQFN 裸露焊盤(pán)
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 16-QFN（3x3）
包裝： 帶卷 (TR)
Semiconductor Components Industries, LLC, 2012
August, 2012 Rev. 1
1
Publication Order Number:
NLAS3899B/D
NLAS3899B
Dual DPDT Low RON, Low
Capacitance Switch
The NLAS3899B is a dual DPDT analog switch designed for low
power audio and dual SIM card applications. The low RON of 3.0 W
(typical) is ideal for routing audio signals to or from a moderately high
impedance load. In addition, the low CON of 20 pF (typical) gives the
NLAS3899B a high bandwidth of 280 MHz, perfect for dual SIM card
applications.
Features
Single Supply Operation
1.65 to 4.3 V VCC
Function Directly from LiIon Battery
Low ON Resistance (3.0 W Typical Across VCC)
Low CON (20 pF Typical)
Bandwidth 280 MHz
Maximum Breakdown Voltage: 5.5 V
Low Static Power
Interfaces with 1.8 V Chipset
These are PbFree Devices
Typical Applications
Cell Phone Speaker/Microphone Switching
RingtoneChip/Amplifier Switching
Dual SIM Card Data Switching
Four Unbalanced (SingleEnded) Switches
Important Information
ESD Protection:
Human Body Model (HBM) 1000 V All Pins
Human Body Model (HBM) 5000 V I/O to GND
Continuous Current Rating Through each Switch ±300 mA
Conforms to: JEDEC MO220, Issue H, Variation VEED6
Package:
1.8 x 2.6 x 0.75 mm WQFN16 PbFree
3.0 x 3.0 x 0.9 mm QFN16 PbFree
WQFN16
CASE 488AP
MARKING
DIAGRAMS
See detailed ordering and shipping information in the package
dimensions section on page 8 of this data sheet.
ORDERING INFORMATION
16
AAMG
G
1
http://onsemi.com
4
1
16
13
9
12
58
14
7
15
6
310
211
COMA NOA Vcc NCD
NCB GND NOCCOMC
NCC
CD IN
NOD
COMD
COMB
NOB
AB IN
NCA
1
QFN16
CASE 485AE
(Note: Microdot may be in either location)
1
16
NLAS
3899
ALYW
1
XX
= Specific Device Code
A
= Assembly Location
M
= Date Code/Assembly Location
L
= Wafer Lot
Y
= Year
W
= Work Week
G
= PbFree Package
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PDF描述
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NLAS4051DR2 功能描述:多路器開(kāi)關(guān) IC SP8T Mux/Demux TTL RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:1 開(kāi)關(guān)數(shù)量:4 開(kāi)啟電阻（最大值）:7 Ohms 開(kāi)啟時(shí)間（最大值）: 關(guān)閉時(shí)間（最大值）: 傳播延遲時(shí)間:0.25 ns 工作電源電壓:2.3 V to 3.6 V 工作電源電流: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:UQFN-16
NLAS4051DR2G 功能描述:多路器開(kāi)關(guān) IC SP8T Mux/Demux TTL Compat -55 to 125 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:1 開(kāi)關(guān)數(shù)量:4 開(kāi)啟電阻（最大值）:7 Ohms 開(kāi)啟時(shí)間（最大值）: 關(guān)閉時(shí)間（最大值）: 傳播延遲時(shí)間:0.25 ns 工作電源電壓:2.3 V to 3.6 V 工作電源電流: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:UQFN-16
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