型號: | NJD2873T4G |
廠商: | ON SEMICONDUCTOR |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | NPN Silicon DPAK For Surface Mount Applications |
中文描述: | 2 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
封裝: | LEAD FREE, PLASTIC, CASE 369C-01, DPAK-3 |
文件頁數(shù): | 3/6頁 |
文件大?。?/td> | 50K |
代理商: | NJD2873T4G |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
NJM2670D2 | DUAL H BRIDGE DRIVER |
NJM2670E3 | DUAL H BRIDGE DRIVER |
NJM78L02UA8L | 5.0 AMP POSITIVE VOLTAGE REGULATOR |
NJM78L02UA8M | 5.0 AMP POSITIVE VOLTAGE REGULATOR |
NJM78L02UA8N | 5.0 AMP POSITIVE VOLTAGE REGULATOR |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
NJD2873T4G-CUT TAPE | 制造商:ON 功能描述:NJD Series 50 V 2 A Tab Mount NPN Silicon Plastic Power Transistor - TO-252 |
NJD35N04G | 功能描述:達林頓晶體管 POWER DARL TRANSIST RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
NJD35N04G_10 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:NPN Darlington Power Transistor |
NJD35N04T4G | 功能描述:達林頓晶體管 NPN DARL POWER TRAN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
NJD6508 | 制造商:New Japan Radio Co Ltd (NJR/JRC) 功能描述: |