globalfoundries高級技術(shù)架構(gòu)辦公室主管kengeri日前在computex上就globalfoundries在28nmgate-firsthkmg制程工藝及euv光刻技術(shù)方面的進展和未來計劃做了演示說明。kengeri表示，globalfoundries的gate-first工藝能夠提供足夠的晶體管門限電壓調(diào)整空間，其可調(diào)范圍超過了300mv，完全可以滿足產(chǎn)品的需求。他同時還宣稱公司在使用gate-first工藝時并沒有出現(xiàn)由于費米栓現(xiàn)象而導(dǎo)致的門限電壓失控問題。另外他還指出globalfoundries的gate-first工藝應(yīng)對lvt（低門限電壓）/slvt（超低門限電壓）產(chǎn)品時的性能是很穩(wěn)定的。
在他看來，globalfoundries在28nm節(jié)點選擇gate-first工藝主要有兩個因素，首先是gate-first工藝生產(chǎn)的芯片相比40nm產(chǎn)品而言尺寸微縮程度更高，他表示升級到28nm節(jié)點后晶體管的速度提升了50%，而每次開關(guān)時的能耗則減小了50%。另外一個因素是gate-first工藝可以基本保持原有的40nm產(chǎn)品的布線設(shè)計，而且28nm節(jié)點上gate-first工藝制造的晶體管在體積上也比gate-last工藝要小10-20%左右。kengeri的這番話顯然和前不久前臺積電北美副總裁的說法形成了鮮明的對比，臺積電方面宣布準備在28nm制程節(jié)點啟用gate-lasthkmg工藝。
因為把持著finfet技術(shù)的77%專利，globalfoundries聲稱其所在的聯(lián)盟已經(jīng)占據(jù)了市場的領(lǐng)導(dǎo)權(quán)，而英特爾只能是追趕該聯(lián)盟的角色。kengeri說到，77%的finfet技術(shù)專利是由globalfoundries、ibm、三星通用平臺聯(lián)盟共同擁有，英特爾無疑已經(jīng)實現(xiàn)了finfet技術(shù)，但是通用平臺聯(lián)盟中的企業(yè)已經(jīng)在finfet技術(shù)的研究上努力了十余年，并且已經(jīng)掌握了其中77%的專利權(quán)，這將在專利紛爭不斷的今天占得的先機，而globalfoundries也會在14nm制程上開始采用finfet技術(shù)。顯然globalfoundries也已經(jīng)走上了finfet之路，而臺積電仍舊沒有任何這方面的計劃宣布，“業(yè)界對臺積電的制造技術(shù)由此產(chǎn)生了巨大的懷疑。”他稱。
kengeri同時透露：“我們的28nm制程將以高性能和低功耗為目標(biāo)，今年底前我們會完成相關(guān)產(chǎn)品的流片設(shè)計，明年初則會開始試產(chǎn)。雖然實際產(chǎn)品的上市時間可能因客戶而異，但我們預(yù)計明年上半年會有我們的28nm產(chǎn)品上市。”globalfoundries公司的28nm制程工藝將分為三種類型：28nmhpp（高性能）型：這種工藝主要為性能進行優(yōu)化，非常適合顯卡芯片，游戲機芯片，存儲芯片，網(wǎng)絡(luò)芯片以及多媒體編碼器芯片等產(chǎn)品使用；28nm-slp(超低功耗)型：這種工藝更為重視功耗指數(shù)，非常適合無線移動設(shè)備如各類應(yīng)用處理器，基帶芯片，手機芯片等對省電性能要求較高的應(yīng)用；28nm-lph（低功耗高性能）型：這種工藝主要適合高端的移動計算芯片，比如雙核與四核的高頻應(yīng)用處理器。據(jù)悉28nm-slp制程將用于制造基于arm架構(gòu)的soc芯片產(chǎn)品，而28nm-hpp制程的適用對像則無疑是amd的顯卡芯片，此前我們已經(jīng)知道amd會使用globalfoundries的28nm制程工藝制作其下一代顯卡芯片產(chǎn)品。
globalfoundries的產(chǎn)能已經(jīng)每月超過20萬片12英寸晶圓，并且已經(jīng)滿足了其所有的32nm晶圓的訂單需求。在過去一個月中，globalfoundries在dresden生產(chǎn)了8萬片晶圓，在新加坡生產(chǎn)了5萬片，而在紐約州的晶圓廠將會每月生產(chǎn)6萬片晶圓。從收入角度看，超過80%的收入來自于65nm及以下工藝，對比競爭對手聯(lián)電，這個比例要高很多。
另外，kengeri還透露globalfoundries會緊抓三個技術(shù)發(fā)展方向：先進光刻技術(shù)，材料（新材料及其整合）以及芯片3d封裝技術(shù)。他表示globalfoundries公司在14nm制程節(jié)點可能會啟用euv光刻技術(shù)投入生產(chǎn)。不過他表示按照公司原來的計劃，并沒有準備在14nm制程節(jié)點啟用euv技術(shù)，浸沒式光刻技術(shù)應(yīng)該就可以滿足其要求，不過公司將euv技術(shù)視為降成本的重要手段，而且提前使用euv還可以為公司積累有關(guān)的生產(chǎn)經(jīng)驗，這樣到10nm節(jié)點以下必須啟用euv技術(shù)時便可以有充分準備。