科銳公司（cree）宣布推出可適用于軍用和商用s 波段雷達中的高效gan hemt 晶體管。新型 s 波段gan hemt 晶體管的額定功率為60w，頻率為 3.1至3.5ghz 之間，與傳統(tǒng)si或 gaas mesfet 器件相比，能夠提供優(yōu)越的漏極效率（接近70%）。同時，高效率和高功率密度的結(jié)合有助于最大限度地降低散熱的要求，并減少在商用雷達系統(tǒng)應用中的尺寸與重量。
科銳無線射頻（rf）及微波部門總監(jiān) jim milligan表示：“新型 s 波段 gan hemt 器件的推出豐富了科銳高效 s 波段gan晶體管與單片式微波集成電路（mmic）產(chǎn)品系列，從而為客戶在商用雷達系統(tǒng)高功率放大電路的應用中提供更多的選擇。高效的 s 波段 gan hemt 器件率，在具有優(yōu)異信號保真度的同時擴展脈沖能力，并最大限度地降低散熱管理需求，從而能夠幫助無線射頻設計工程師大幅度地降低雷達系統(tǒng)的尺寸和重量，同時擴大應用范圍并降低安裝成本。”
科銳 cgh35060 gan hemt 晶體管28v 工作電壓下的額定脈沖功率為 60w（當脈寬為100微秒時），功率增益為12db，漏極效率為 65%，與傳統(tǒng)硅 ldmos 器件相比高出50%。cgh35060 型 gan 器件已經(jīng)在高功率放大器參考設計（s 波段頻率在3.1至3.5ghz 之間）中得到驗證。與 gaas和si技術(shù)相比，cgh35060 還具有長脈沖、高功率性能（低于0.6db）、優(yōu)異的信號保真度以及非常低的功率衰減等特性。
新型gan hemt 晶體管與科銳 s 波段全套產(chǎn)品系列相匹配，包括cgh31240f/cgh35240f全面匹配240w gan hemt 器件（2.7 – 2.9ghz / 3.1 – 3.5ghz）以及cmpa2735075f兩級封裝gan hemt 單片式微波集成電路（mmic）。