參數(shù)資料
型號(hào)： NESG2046M33-T3-A
廠商： NEC Corp.
英文描述： NECs NPN SiGe TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH -GAIN AMPLIFICATION
中文描述： 鄰舍npn型硅鍺晶體管低噪聲，高增益放大
文件頁(yè)數(shù)： 1/3頁(yè)
文件大小： 118K
代理商： NESG2046M33-T3-A
NESG2046M33
NEC's NPN SiGe TRANSISTOR
FOR LOW NOISE, HIGH -GAIN AMPLIFICATION
California Eastern Laboratories
IDEAL FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION APPLICATIONS:
NF = 0.8 dB TYP., G
a
= 11.5 dB TYP. @ V
CE
= 1 V, I
C
= 3 mA, f = 2 GHz
HIGH BREAKDOWN VOLTAGE TECHNOLOGY
FOR SIGE TRANSISTORS
:
V
CEO
(absolute maximum ratings) = 5.0 V
3-PIN SUPER LEAD-LESS MINIMOLD (M33) PACKAGE
FEATURES
PRELIMINARY DATA SHEET
ORDERING INFORMATION
Remark
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fi
ce.
The unit sample quantity is 50 pcs.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
A
=+25oC)
PARAMETER
SYMBOL
RATINGS
UNIT
Collector to Base Voltage
V
CBO
13
V
Collector to Emitter Voltage
V
CEO
5
V
Emitter to Base Voltage
V
EBO
1.5
V
Collector Current
I
C
40
mA
Total Power Dissipation
P
tot
Note
130
mW
Junction Temperature
T
j
150
°
C
Storage Temperature
T
stg
65 to +150
°
C
Note
Mounted on 1.08 cm
2
×
1.0 mm (t) glass epoxy PCB
Caution
Observe precautions when handling because these devices are sensitive to electrostatic discharge.
PART NUMBER
QUANTITY
SUPPLYING FORM
NESG2046M33-A
50 pcs (Non reel)
8 mm wide embossed taping
Pin 2 (Base) face the perforation side of the tape
NESG2046M33-T3-A
10 kpcs/reel
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NESZC02T LED
NESZC02T-4002A LED
NEZ4450-15D 15 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET
NEZ6472-15D 15 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET
NEZ6472-15DD 15 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET
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參數(shù)描述
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NESG2101M05-A 功能描述:射頻硅鍺晶體管 NPN SiGe High Freq RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極連續(xù)電流: 功率耗散: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
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