參數(shù)資料
型號： NE68819-T1
廠商： NEC Corp.
英文描述： SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
中文描述： 表面貼裝NPN硅高頻晶體管
文件頁數(shù)： 6/19頁
文件大?。?/td> 231K
代理商： NE68819-T1
TYPICAL SCATTERING PARAMETERS
(T
A
= 25
°
C)
NE688 SERIES
FREQUENCY
S
11
S
21
S
12
S
22
K
MAG
1
GHz
0.1
0.4
0.8
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
MAG
0.977
0.880
0.749
0.710
0.670
0.667
0.669
0.663
ANG
-15.600
-61.200
-103.800
-119.300
-148.700
-171.700
168.000
148.500
MAG
1.794
1.560
1.199
1.057
0.832
0.691
0.595
0.545
ANG
MAG
0.063
0.209
0.282
0.287
0.249
0.185
0.160
0.240
ANG
MAG
0.989
0.883
0.745
0.706
0.654
0.641
0.636
0.624
ANG
-8.600
-29.700
-47.000
-53.300
-67.800
-82.200
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(dB)
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57.200
43.200
35.800
34.900
78.200
50.900
26.900
19.000
7.800
11.100
39.600
62.300
0.101
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0.457
0.549
0.777
1.079
1.352
1.179
14.545
8.730
6.286
5.662
5.239
4.012
2.162
0.998
V
CE
= 1.0 V, I
C
= 1.0 mA
0.1
0.4
0.8
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
4.0
5.0
0.956
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0.562
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V
CE
= 3.0 V, I
C
= 3.0 mA
0.1
0.4
0.8
1.0
1.5
2.0
2.5
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-141.200
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60.100
60.300
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-59.200
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86.700
59.500
15.700
V
CE
= 3.0 V, I
C
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0.313
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-150.000
-161.700
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102.200
17.900
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3.890
2.710
2.124
1.779
1.559
1.305
1.160
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60.700
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0.220
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-25.700
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-63.300
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-144.300
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1.035
1.021
1.004
0.973
0.954
27.477
20.663
16.296
14.694
10.542
8.321
6.882
6.059
4.435
3.086
NE68830
V
CE
= 0.5 V, I
C
= 0.5 mA
Coordinates in Ohms
Frequency in GHz
(V
CE
= 0.5 V, I
C
= 0.5 mA)
20
10
5
4
3
2
1.5
1
.8
.6
.4
.2
-.2
-.4
-.6
-.8
-1
-1.5
-2
-3
-4
-5
-10
-20
0
20
10
1.5
.8
.6
.4
.2
5
4
3
2
1
S
22
0.1 GHz
S
11
0.1 GHz
S
22
5 GHz
S
11
5 GHz
90
270
180
225
315
135
45
0
1
.25
.50
S
12
0.1 GHz
S
12
5 GHz
S
21
5 GHz
S
21
0.1 GHz
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE68830-T1 SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE68833-T1 SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE68839-T1 SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE68839R-T1 SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE688M13 NPN SILICON TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NE68819-T1-A 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE68830 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 6V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-323
NE68830-A 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE68830-T1 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE68830-T1-A 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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