參數(shù)資料
型號： NE687M23
廠商： NEC Corp.
英文描述： NPN SILICON TRANSISTOR
中文描述： NPN硅晶體管
文件頁數(shù)： 19/21頁
文件大小： 196K
代理商： NE687M23
NE687 SERIES
Parameters
Q1
8e-17
128
1
17
0.18
3.3e-15
1.48
9.05
1.05
4.3
0.009
4e-15
1.5
0.8
11.1
2.46
0.017
7.5
0.415e-12
0.68
0.53
0.102e-12
0.29
Parameters
MJC
XCJC
CJS
VJS
MJS
FC
TF
XTF
VTF
ITF
PTF
TR
EG
XTB
XTI
KF
AF
Q1
0.53
0.27
0
0.75
0
0.37
6e-12
11.9
9.55
1.78
69.1
1e-9
1.11
0
3
0
1
IS
BF
NF
VAF
IKF
ISE
NE
BR
NR
VAR
IKR
ISC
NC
RE
RB
RBM
IRB
RC
CJE
VJE
MJE
CJC
VJC
NE68733 NONLINEAR MODEL
(1) Gummel-Poon Model
BJT NONLINEAR MODEL PARAMETERS
(1)
UNITS
Parameter
time
capacitance
inductance
resistance
voltage
current
Units
seconds
farads
henries
ohms
volts
amps
Parameters
C
CB
C
CE
L
B
L
E
C
CBPKG
C
CEPKG
C
BEPKG
L
BX
L
CX
L
EX
68733
0.26e-12
0.19e-12
0.96e-9
1.05e-9
0.15e-12
0.09e-12
0.09e-12
0.3e-9
0.3e-9
0.3e-9
ADDITIONAL PARAMETERS
MODEL RANGE
Frequency:
Bias:
Date:
0.05 to 5.0 GHz
V
CE
= 1 V to 2 V, I
C
= 1 mA to 10 mA
7/97
Base
Emitter
Collector
L
BX
L
B
L
EX
L
E
L
CX
C
CBPKG
C
CB
C
CE
C
CEPKG
C
BEPKG
Q1
SCHEMATIC
Note:
This nonlinear model utilized the latest data available. See our Design Parameter Library at
www.cel.com
for this data.
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