參數(shù)資料
型號： NE6873939R
廠商： NEC Corp.
英文描述： SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
中文描述： 表面貼裝NPN硅高頻晶體管
文件頁數(shù)： 8/21頁
文件大?。?/td> 196K
代理商： NE6873939R
NE68719
V
CE
= 2.0 V, I
C
= 5.0 mA
FREQUENCY
S
11
S
21
S
12
S
22
K
MAG
1
GHz
0.1
0.4
0.8
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
4.0
5.0
MAG
ANG
-18.000
-66.300
-106.100
-120.700
-151.800
-178.500
159.500
139.500
96.600
53.600
MAG
13.956
10.170
6.431
5.350
3.763
2.912
2.403
2.086
1.712
1.460
ANG
MAG
0.020
0.062
0.090
0.102
0.132
0.163
0.197
0.233
0.309
0.378
ANG
76.300
56.800
46.900
44.900
40.100
35.300
29.100
22.100
5.600
-14.000
MAG
0.954
0.721
0.508
0.452
0.377
0.340
0.316
0.291
0.207
0.192
ANG
-13.300
-41.500
-57.100
-61.000
-66.900
-71.600
-76.100
-83.000
-110.900
-174.900
(dB)
28.437
22.149
18.540
17.198
14.550
10.809
8.858
7.483
5.641
4.538
V
CE
= 2.0 V, I
C
= 20.0 mA
0.1
0.4
0.8
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
4.0
5.0
TYPICAL SCATTERING PARAMETERS
(T
A
= 25
°
C)
NE687 SERIES
0.469
0.247
0.166
0.148
0.129
0.122
0.115
0.116
0.187
0.307
-38.900
-106.600
-153.400
-169.000
161.600
139.700
124.900
114.300
85.100
47.800
29.942
14.412
7.775
6.300
4.295
3.279
2.678
2.304
1.857
1.572
148.800
104.600
82.800
75.200
59.400
45.600
32.900
20.600
-3.600
-28.300
0.016
0.045
0.077
0.094
0.135
0.176
0.217
0.258
0.337
0.403
71.900
64.000
61.100
58.900
51.600
43.500
34.400
25.300
5.700
-15.200
0.835
0.448
0.303
0.276
0.246
0.232
0.223
0.205
0.120
0.137
-24.600
-53.100
-59.500
-60.900
-63.500
-66.900
-70.400
-77.100
-110.500
160.100
0.390
0.809
0.987
1.018
1.056
1.069
1.072
1.069
1.053
1.032
32.722
25.055
20.042
17.433
13.584
11.099
9.271
7.908
6.005
4.822
0.795
0.577
0.364
0.303
0.224
0.187
0.171
0.165
0.212
0.319
162.300
123.500
94.800
85.100
65.800
49.900
35.700
22.700
-2.900
-29.000
0.200
0.440
0.740
0.844
1.000
1.079
1.108
1.112
1.087
1.047
Note:
1.Gain Calculations:
|S
21
|
|S
12
|
MAG = Maximum Available Gain
MSG = Maximum Stable Gain
MAG =
K - 1
).
(
K
±
= S
11
S
22
- S
21
S
12
,
When K
≤
1, MAG is undefined and MSG values are used. MSG =
|S
21
|
|S
12
|
, K =
1 + |
| - |S
11
| - |S
22
|
2 |S
12
S
21
|
2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE68739R-T1 SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE687M23 NPN SILICON TRANSISTOR
NE68819 NONLINEAR MODEL
NE699M01 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE HIGH-GAIN AMPLIFICATION
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NE68739R-T1 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
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NE687M03-A 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Lo Noise Hi Gain RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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