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參數(shù)資料
| 型號： | NE68639R-T1 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| 中文描述： | 表面貼裝NPN硅高頻晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 4/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 140K |
| 代理商： | NE68639R-T1 |
Collector Current, I
C
(mA)
Collector to Base Voltage, V
CB
(V)
D.C. CURRENT GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
Collector Current, I
C
(mA)
Collector Current, I
C
(mA)
COLLECTOR CURRENT vs.
BASE TO EMITTER VOLTAGE
NE68618
GAIN BANDWIDTH PRODUCT
vs. COLLECTOR CURRENT
V
CE
= 1 V
V
CE
= 2 V
500
200
100
50
20
10
1
2
5
10
20
50
100
18
16
14
12
10
8
6
4
1
2
5
10
f = 2 GHz
2 V
V
CE
= 1 V
V
CE
= 2 V
50
40
30
20
10
0
0
0.5
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
f = 1 MHz
NE68630
FEED-BACK CAPACITANCE vs.
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE
Collector Current, I
C
(mA)
NE68618
INSERTION GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
NE68633
NOISE FIGURE vs.
COLLECTOR CURRENT
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
(TA = 25
°
C)
N
G
T
F
R
(
f = 2 GHz
V
CE
= 1 V
V
CE
= 2 V
4
3
2
1
0
1
2
5
10
20
100
14
12
10
8
6
4
1
2
5
10
f = 2 GHz
V
CE
= 1 V
2 V
I
2
|
2
D
F
C
C
Base to Emitter Voltage, VBE (V)
NE686 SERIES
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NE688 | SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| NE68800 | SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| NE68818-T1 | SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| NE68819-T1 | SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| NE68830-T1 | SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NE68639-T1 | 制造商:CEL 制造商全稱:CEL 功能描述:SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| NE687 | 制造商:CEL 制造商全稱:CEL 功能描述:SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| NE68700 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:NONLINEAR MODEL |
| NE68718 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| NE68718-A | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
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