參數(shù)資料
型號(hào)： NE68619-T1
廠商： NEC Corp.
英文描述： SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
中文描述： 表面貼裝NPN硅高頻晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 2/11頁(yè)
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代理商： NE68619-T1
NE686 SERIES
SYMBOLS
V
CBO
PARAMETERS
Collector to Base Voltage
UNITS
V
RATINGS
5
V
CEO
V
EBO
I
C
T
J
Collector to Emitter Voltage
Emitter to Base Voltage
Collector Current
Operating
Junction Temperature
Storage Temperature
V
V
3
2
mA
10
°
C
°
C
150
T
STG
-65 to +150
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
1
(T
A
= 25
°
C)
Notes:
1. Operation in excess of any one of these parameters may result in
permanent damage.
NE68618
TYPICAL NOISE PARAMETERS
(T
A
= 25
C)
FREQ.
(MHz)
NF
OPT
(dB)
G
A
(dB)
Γ
OPT
MAG
ANG
Rn/50
500
800
1000
1500
2000
2500
V
CE =
1.0
V
,
I
C =
3.0 mA
1.03
1.10
1.15
1.30
1.52
1.74
18.47
17.10
14.81
10.20
7.97
6.65
0.76
0.69
0.66
0.63
0.58
0.51
14
29
34
40
50
61
0.96
0.83
0.78
0.67
0.58
0.53
500
800
1000
1500
2000
2500
3000
V
CE =
2.0
V
,
I
C =
3.0 mA
1.30
1.33
1.36
1.50
1.67
1.83
1.98
21.08
17.51
15.75
12.35
10.03
8.47
7.30
0.61
0.58
0.55
0.50
0.46
0.41
0.36
13
23
28
37
45
54
64
0.56
0.53
0.52
0.50
0.48
0.44
0.33
500
800
1000
1500
2000
2500
3000
V
CE =
2.0
V
,
I
C =
10.0 mA
1.30
1.33
1.36
1.50
1.67
1.83
1.98
21.96
18.38
16.61
13.20
10.81
9.22
8.00
0.61
0.58
0.55
0.50
0.46
0.41
0.36
13
23
28
37
45
54
64
0.66
0.58
0.57
0.55
0.50
0.47
0.38
500
800
1000
1500
2000
2500
3000
2.15
2.17
2.20
2.28
2.42
2.55
2.70
23.2
19.21
17.52
14.18
11.81
10.09
8.78
0.39
0.36
0.32
0.27
0.24
0.21
0.17
14
20
27
36
45
51
61
0.58
0.56
0.55
0.51
0.48
0.43
0.29
V
CE =
1.0
V
,
I
C =
1.0 mA
FREQ.
(MHz)
NF
OPT
(dB)
G
A
(dB)
Γ
OPT
MAG
ANG
Rn/50
NE68619
TYPICAL NOISE PARAMETERS
(T
A
= 25
C)
500
800
1000
1500
V
CE =
1.0
V
,
I
C =
1.0 mA
0.96
1.03
1.10
1.42
15.00
12.50
11.94
6.69
0.76
0.76
0.72
0.67
16
30
40
48
1.20
1.13
1.09
1.10
500
800
1000
1500
2000
2500
V
CE =
1.0
V
,
I
C =
3.0 mA
0.91
1.00
1.08
1.35
1.60
1.80
17.59
15.38
14.50
9.78
7.41
6.15
0.73
0.69
0.66
0.63
0.59
0.53
14
28
38
46
56
70
1.09
0.82
0.80
0.78
0.75
0.68
500
800
1000
1500
2000
2500
3000
V
CE =
1.0
V
,
I
C =
5.0 mA
1.35
1.38
1.43
1.55
1.67
1.78
1.83
20.29
16.88
15.44
11.50
9.28
7.70
6.52
0.63
0.60
0.56
0.53
0.48
0.44
0.30
15
28
37
43
51
62
71
0.59
0.55
0.52
0.51
0.50
0.47
0.38
500
800
1000
1500
2000
2500
3000
V
CE =
2.0
V
,
I
C =
3.0 mA
1.68
1.70
1.74
1.83
1.91
2.00
2.09
21.17
17.59
15.74
12.25
10.00
8.49
7.30
0.50
0.48
0.46
0.42
0.38
0.33
0.28
14
28
33
41
53
65
77
0.55
0.53
0.52
0.51
0.49
0.39
0.35
V
CE =
0.5 V
,
I
C =
0.5 mA
500
800
1000
1500
2000
2500
3000
1.35
1.38
1.43
1.55
1.67
1.78
1.83
21.12
17.80
16.34
12.36
10.00
8.48
7.24
0.63
0.60
0.56
0.53
0.48
0.44
0.40
15
28
37
43
51
62
71
0.68
0.62
0.60
0.58
0.56
0.50
0.36
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PDF描述
NE68639R-T1 SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE688 SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE68800 SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE68818-T1 SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE68819-T1 SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NE68619-T1-A 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE68630 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 3V V(BR)CEO | 10MA I(C) | SOT-23VAR
NE68630-T1 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 SOT-323 NPN HI FREQ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE68633 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 3V V(BR)CEO | 10MA I(C) | SOT-23
NE68633-T1 制造商:CEL 制造商全稱(chēng):CEL 功能描述:SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
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