參數(shù)資料
型號(hào): NE685
廠商: NEC Corp.
英文描述: SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
中文描述: 表面貼裝NPN硅高頻晶體管
文件頁(yè)數(shù): 4/17頁(yè)
文件大小: 176K
代理商: NE685
NE68518, NE68530
D.C. POWER DERATING CURVE
200
180
100
0
0
50
100
150
INFINITE
HEAT SINK
FREE AIR
114
Ambient Temperature, T
A
(C
°
)
T
T
200
180
100
0
0
100
150
125
50
50
150
114
FREE AIR
INFINITE
HEAT SINK
Ambient Temperature, T
A
(C
°
)
T
T
NE68519
D.C. POWER DERATING CURVE
1 2 5 10 20 50
5
4
3
2
1
0
V
CE
= 3 V
f = 2 GHz
V
CE
= 3 V
I
C
= 10 mA
MAG
|S
21E
|
2
0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0
50
40
30
20
10
0
38.4 114
0 50 100 150
0
100
180
200
FREE AIR
INFINITE
HEAT SINK
T
T
N
F
(
Frequency, f (GHz)
NE68533, NE68539
D.C. POWER DERATING CURVE
1 2 5 10 20 50
0
2
4
6
8
10
12
V
CE
= 3 V
f = 2 GHz
INSERTION GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
Collector Current, I
C
(mA)
Ambient Temperature, T
A
(
°
C)
I
E
|
2
Collector Current, I
C
(mA)
I
E
|
2
(
M
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
(TA = 25
°
C)
NOISE FIGURE
vs. COLLECTOR CURRENT
FORWARD INSERTION GAIN
AND MAXIMUM AVAILABLE GAIN
vs. FREQUENCY
NE685 SERIES
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE685M23 NPN SILICON TRANSISTOR
NE685M13 NECs NPN SILICON TRANSISTOR
NE685M13-T3 NECs NPN SILICON TRANSISTOR
NE687 SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE68718 SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NE68518 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE68518-A 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE68518-T1 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE68518-T1-A 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE68519 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 USE 551-NE68519-A RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel