參數(shù)資料
型號： NE68539R-T1
廠商： NEC Corp.
英文描述： SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
中文描述： 表面貼裝NPN硅高頻晶體管
文件頁數(shù)： 5/17頁
文件大?。?/td> 176K
代理商： NE68539R-T1
NE68518
V
CE
= 0.5 V, I
C
= 0.5 mA
FREQUENCY
TYPICAL SCATTERING PARAMETERS
(T
A
= 25
°
C)
S
11
S
21
S
12
S
22
K
MAG
1
GHz
MAG
ANG
MAG
ANG
MAG
ANG
MAG
ANG
(dB)
0.1
0.4
0.8
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.995
0.941
0.844
0.783
0.644
0.542
0.469
0.421
-7.200
-29.200
-56.800
-69.300
-99.500
-126.400
-152.900
-179.100
1.819
1.756
1.619
1.530
1.331
1.163
1.054
0.965
170.500
148.100
119.000
106.100
77.200
53.400
32.400
14.800
0.030
0.107
0.193
0.225
0.263
0.279
0.280
0.283
88.600
67.200
45.300
35.800
15.800
-0.100
-13.000
-23.900
0.997
0.969
0.893
0.853
0.750
0.675
0.629
0.582
-3.900
-22.000
-42.700
-51.500
-69.200
-84.400
-96.600
-108.400
0.024
0.168
0.331
0.410
0.610
0.792
0.952
1.097
17.827
12.151
9.237
8.325
7.042
6.200
5.757
3.431
0.1
0.4
0.8
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
4.0
5.0
0.759
0.451
0.249
0.184
0.111
0.080
0.078
0.084
0.149
0.282
-22.200
-68.600
-101.700
-116.600
-153.200
169.100
130.600
95.900
68.500
46.400
22.471
13.915
8.120
6.664
4.559
3.474
2.832
2.402
1.921
1.635
157.900
114.600
88.400
79.400
61.500
46.300
31.700
18.900
-6.500
-32.300
0.018
0.047
0.068
0.079
0.114
0.143
0.172
0.203
0.268
0.322
81.900
62.800
51.600
50.400
45.400
39.500
30.800
21.100
2.500
-17.000
0.906
0.646
0.472
0.435
0.398
0.382
0.372
0.367
0.311
0.208
-15.600
-40.900
-51.300
-55.200
-63.600
-73.500
-80.700
-90.700
-112.900
-155.700
0.205
0.597
0.890
0.965
1.024
1.072
1.094
1.100
1.080
1.070
30.963
24.714
20.770
19.261
15.071
12.212
10.294
8.809
6.829
5.438
0.1
0.4
0.8
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
4.0
0.985
0.917
0.771
0.696
0.536
0.430
0.361
0.310
0.303
-8.500
-32.500
-62.700
-76.000
-105.900
-133.000
-160.200
173.400
116.300
3.481
3.293
2.879
2.653
2.160
1.798
1.559
1.385
1.173
169.900
146.500
117.800
105.300
78.600
56.600
37.700
21.000
-10.100
0.023
0.086
0.144
0.165
0.191
0.210
0.214
0.229
0.255
82.400
66.300
44.100
35.500
21.800
7.200
-0.900
-7.500
-20.700
0.985
0.956
0.847
0.789
0.675
0.601
0.554
0.513
0.436
-5.500
-24.300
-45.300
-53.300
-70.500
-83.800
-94.000
-104.500
-130.100
0.108
0.172
0.347
0.440
0.634
0.831
0.998
1.118
1.253
21.800
15.831
13.009
12.063
10.534
9.326
8.624
5.724
3.601
0.1
0.4
0.8
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
4.0
0.986
0.926
0.799
0.728
0.573
0.455
0.364
0.311
0.270
-7.100
-29.800
-57.100
-69.600
-98.500
-123.900
-150.100
-174.900
124.900
3.465
3.301
2.949
2.743
2.275
1.921
1.664
1.471
1.252
170.500
148.800
121.700
109.700
83.400
61.500
42.300
25.900
-5.200
0.018
0.063
0.116
0.139
0.161
0.180
0.189
0.196
0.226
83.900
67.000
47.000
39.100
24.100
11.100
4.400
-4.300
-11.500
0.996
0.970
0.878
0.834
0.732
0.671
0.628
0.586
0.520
-4.400
-21.200
-39.900
-47.800
-63.800
-76.200
-85.500
-96.200
-118.800
0.103
0.174
0.345
0.419
0.610
0.789
0.944
1.102
1.207
22.844
17.193
14.052
12.952
11.502
10.283
9.447
6.805
4.685
V
CE
= 1.0 V, I
C
= 1.0 mA
V
CE
= 3.0 V, I
C
= 10 mA
V
CE
= 2.5 V, I
C
= 1.0 mA
NE685 SERIES
Note: 1. Gain Calculations:
|S
21
|
|S
12
|
MAG =
K - 1
).
(
K
±
= S
11
S
22
- S
21
S
12
,
When K
≤
1, MAG is undefined and MSG values are used. MSG =
|S
21
|
|S
12
|
, K =
1 + |
| - |S
11
| - |S
22
|
2 |S
12
S
21
|
2
Coordinates in Ohms
Frequency in GHz
(V
CE
= 2.5 V, I
C
= 1 mA)
20
10
5
4
3
2
1.5
1
.8
.6
.4
.2
-.2
-.4
-.6
-.8
-1
-1.5
-2
-3
-4
-5
-10
-20
0
20
10
1.5
.8
.6
.4
.2
5
4
S
11
3
2
1
S
22
0.1 GHz
0.1 GHz
S
22
4 GHz
S
11
4 GHz
90
270
180
225
315
135
45
0
.025
.020
.015
.010
3
2
1
.05
S
12
0.1 GHz
S
12
4 GHz
S
21
0.1 GHz
S
21
4 GHz
相關PDF資料
PDF描述
NE685M03 NPN SILICON TRANSISTOR
NE685 SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE685M23 NPN SILICON TRANSISTOR
NE685M13 NECs NPN SILICON TRANSISTOR
NE685M13-T3 NECs NPN SILICON TRANSISTOR
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
NE68539-T1 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE68539-T1-A 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE685M03 制造商:CEL 制造商全稱:CEL 功能描述:NPN SILICON TRANSISTOR
NE685M03-A 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Lo Noise Hi Gain RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE685M03-T1-A 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Lo Noise Hi Gain RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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